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編輯推薦: |
本书讲述了高阻隔性包装材料的制备方法,结合作者多年研究成果,通过磁控共溅射有机高分子环氧树脂靶材(顺丁烯二酸酐固化二氧化环氧戊二烯—DCPD/MA)与陶瓷SiO2靶材,制备SiOx-(DCPD/MA)f复合高阻隔薄膜,在SiOx阻隔膜层中引入有机高分子柔性链碎片,增加阻隔层的韧性,提高薄膜耐折性。
本书内容严谨、专业性强、学术价值高。可作为化工材料、包装材料专业师生参考用书。
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內容簡介: |
高阻隔性包装材料应用极为广泛。食品、药品等包装应用高阻隔材料可以延长包装内容物的保质期并防止有害物质迁移;精密机械零配件、电子零件与太阳能组件应用高阻隔材料封装可以提高其使用寿命。将SiOx等阻隔材料以薄膜形式沉积在塑料片材表面是获得高阻隔性包装材料的主要途径之一。
目前,沉积SiOx薄膜的方法主要包括物理气相沉积(PVD)、等离子辅助化学气相沉积(PECVD)等。PVD法制备的SiOx阻隔薄膜存在大量裂纹、针孔等缺陷并且在使用过程中易脆裂,本书针对此问题,结合作者多年研究成果,通过磁控共溅射有机高分子环氧树脂靶材(顺丁烯二酸酐固化二氧化环氧戊二烯—DCPD/MA)与陶瓷SiO2靶材,制备SiOx-(DCPD/MA)f复合高阻隔薄膜,在SiOx阻隔膜层中引入有机高分子柔性链碎片,增加阻隔层的韧性,提高薄膜耐折性。
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關於作者: |
刘壮,哈尔滨商业大学硕导/博士。从事印刷与包装工程相关的科研与教学工作,主持完成课题10余项,发表文章50多篇。2006年起,开展国家重大科技支撑项目研究,掌握PVD等方法制备高阻隔材料的关键技术;博士课题解决传统PVD制备阻隔材料裂纹问题;2013年,阻隔薄膜研究获国自然青年基金资助;2016年赴美,合作开展薄膜CVD法制备。在包装阻隔防护功能材料开发有较好的研究基础与经验。
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目錄:
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第1 章
绪论 / 001
1.1 研究的目的和意义 / 001
1.2 SiOx 薄膜类阻隔包装材料研究进展 / 002
1.2.1 SiOx薄膜制备方法 / 002
1.2.2 SiOx薄膜类气体阻隔薄膜制备及发展 / 007
1.2.3 聚合物表面镀膜类高阻隔包装材料的阻隔机制 / 012
1.3 磁控共溅射含高分子靶材的复合薄膜研究进展 / 021
1.3.1 磁控单靶溅射高分子靶材 / 022
1.3.2 磁控共溅射氧化硅/高分子复合薄膜 / 023
1.4 本文主要研究的内容 / 026
第2 章
试验设计及表征方法 / 029
2.1 引言 / 029
2.2 高分子靶材的设计及制备 / 030
2.2.1 阻隔薄膜的设计要求 / 030
2.2.2 高分子靶材设计的思路 / 031
2.2.3 高分子靶材DCPD/MA的制备 / 032
2.3 磁控共溅射沉积薄膜基本工艺过程 / 035
2.3.1 磁控共溅射实验设备 / 035
2.3.2 薄膜沉积基本工艺过程 / 036
2.4 磁控溅射过程中等离子组分测量的原位质谱法 / 039
2.5 SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜分析与表征方法 / 042
2.5.1 形貌表征方法 / 042
2.5.2 组织成分及结构分析方法 / 043
2.5.3 性能检测方法 / 044
第3 章
磁控溅射过程中等离子组分的分析 / 047
3.1 磁控溅射SiO2 靶材的等离子组分的测量 / 047
3.1.1 磁控溅射SiO2靶材等离子组分中的离子检测 / 047
3.1.2 磁控溅射SiO2靶材等离子组分中的自由基检测 / 052
3.2 磁控溅射DCPD/MA 靶材等离子组分的测量 / 058
3.2.1 磁控溅射DCPD/MA靶材等离子组分中的离子检测 / 059
3.2.2 磁控溅射DCPD/MA靶材等离子组分中的自由基检测 / 066
3.2.3 磁控溅射DCPD/MA靶材的解离路径 / 072
3.3 本章小结 / 074
第4 章
磁控溅射沉积SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜的工艺研究 / 076
4.1 磁控溅射沉积SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜的特性 / 076
4.1.1 磁控溅射高分子DCPD/MA靶材的沉积特性 / 076
4.1.2 磁控溅射单靶SiO2的沉积特性 / 083
4.1.3 磁控共溅射SiOx-(DCPD/MA)f薄膜的沉积特性及轴向均匀性 / 084
4.2 沉积工艺参数的研究 / 084
4.2.1 双靶靶材输入功率比PDCPD/MA/PSiO2的研究 / 085
4.2.2 工作气压的研究 / 087
4.2.3 卷绕速率的研究 / 088
4.2.4 沉积时间的研究 / 090
4.3 本章小结 / 091
第5 章
SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜成分、结构及形貌分析 / 093
5.1 双靶输入功率比的影响 / 093
5.1.1 SiOx-(DCPD/MA)f薄膜的成分分析 / 093
5.1.2 SiOx-(DCPD/MA)f薄膜的结构分析 / 107
5.1.3 不同功率比的SiOx-(DCPD/MA)f薄膜的结构形貌 / 111
5.1.4 不同功率比的SiOx-(DCPD/MA)f薄膜的表面形态 / 113
5.2 卷绕速度的影响 / 116
5.2.1 卷绕速度对薄膜结构的影响 / 116
5.2.2 卷绕速度影响薄膜沉积过程的数学描述 / 119
5.3 沉积时间的影响 / 122
5.3.1 沉积时间对薄膜成分的影响 / 123
5.3.2 薄膜的深度方向成分分布 / 127
5.4 SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜的结构模型 / 134
5.4.1 磁控共溅射过程中Si粒子与高分子链段碎片之间的复合形式 / 134
5.4.2 SiOx-(DCPD/MA)f薄膜的结构模型 / 135
5.5 本章小结 / 138
第6 章
PET 基底磁控共溅射SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜性能及
阻隔机制的研究 / 140
6.1 PET 基底磁控共溅射SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜的力学特性 / 141
6.1.1 PET基底磁控共溅射SiOx-(DCPD/MA)f薄膜的拉伸力学特性 / 141
6.1.2 聚合物基底磁控共溅射SiOx-(DCPD/MA)f薄膜耐折力学特性 / 144
6.2 SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜的气体阻隔性能 / 147
6.2.1 SiOx-(DCPD/MA)f薄膜对惰性气体的阻隔性能 / 148
6.2.2 SiOx-(DCPD/MA)f薄膜对O2的阻隔性能 / 151
6.2.3 SiOx-(DCPD/MA)f薄膜对水蒸气的阻隔性能 / 154
6.3 SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜对重金属及有机大分子的阻隔性能 / 155
6.3.1 SiOx-(DCPD/MA)f薄膜对重金属的阻隔性能 / 155
6.3.2 SiOx-(DCPD/MA)f薄膜对有机大分子的阻隔性能 / 158
6.3.3 多层阻隔膜的阻隔性能 / 161
6.4 SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜的阻隔机制 / 162
6.4.1 SiOx-(DCPD/MA)f薄膜对惰性气体的阻隔机制 / 162
6.4.2 SiOx-(DCPD/MA)f薄膜对O2的阻隔机制 / 163
6.4.3 SiOx-(DCPD/MA)f薄膜防止重金属污染物迁移的阻隔机制 / 165
6.4.4 多层薄膜的阻隔机制 / 166
6.5 本章小结 / 167
结论 / 169
参考文献 / 173
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