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編輯推薦： 本书为电子电路经典教材，从半导体器件出发，系统介绍电子电路的基本概念、构成原理、分析方法、实际器件和应用电路，进而运用这些知识分析当今工业界广泛应用的各类器件和电路，并以颇具实用性的故障诊断训练贯穿全书。 內容簡介： 本书是经过多次修订的经典著作，从半导体器件出发，系统介绍电子电路的基本概念、构成原理、分析方法、实际器件和应用电路，进而运用这些知识分析当今工业界广泛应用的各类器件和电路，并以颇具实用性的故障诊断训练贯穿全书。第9版更注重与新型电子器件及新技术的发展应用相结合。新版主要更新包括：增加对电子领域的创新者的介绍；增加电路故障诊断中的半分法介绍；增加关于激光雷达、宽禁带MOS场效应晶体管的内容；增加工业4.0背景下智能传感器及相关技术的章节。 關於作者： 艾伯特·马尔维诺（Albert Malvino）分别于1964年和1970年获得圣何塞州立大学电气工程硕士学位和斯坦福大学电气工程博士学位。曾任美国海军电子技术员、惠普公司电子工程师和山麓学院教师，现从事微控制电路设计和教育软件开发工作。他编著的10本教材被翻译成二十多种语言，有一百多个版本。 戴维·J. 贝茨（David J. Bates）西威斯康星技术学院电子技术系兼职讲师。现任国际电子技师认证协会（iscet）资质管理员、理事会成员，以及美国国家联合电子教育（NCEE）基础电子学的学科专家（sme）。 帕特里克·E. 霍普（Patrick E. Hoppe）是位于威斯康星州基诺沙的盖特威技术学院的全职电气工程技术讲师和工程系主任。自加入盖特威技术学院以来，他修订了电子学培养方案并制定了电气工程技术培养方案。他是一位优秀的教师，获得了地方、州和国家教学奖，包括NISOD卓越教学奖。 目錄： 译者序 第9版前言 第8版前言 第1章　绪论1 　1.1　近似1 　1.2　电压源2 　1.3　电流源4 　1.4　戴维南定理6 　1.5　诺顿定理9 　1.6　直流电路故障诊断11 　1.7　交流电路故障诊断12 　总结14 　习题16 第2章　半导体19 　2.1　导体简介19 　2.2　半导体简介20 　2.3　硅晶体21 　2.4　本征半导体23 　2.5　两种电流23 　2.6　半导体的掺杂24 　2.7　两种非本征半导体25 　2.8　无偏置的二极管25 　2.9　正向偏置26 　2.10　反向偏置27 　2.11　击穿28 　2.12　能级29 　2.13　势垒与温度30 　2.14　反偏二极管31 　总结33 　习题35 第3章　二极管原理37 　3.1　基本概念37 　3.2　理想二极管40 　3.3　二阶近似41 　3.4　三阶近似42 　3.5　故障诊断44 　3.6　阅读数据手册45 　3.7　计算体电阻48 　3.8　二极管的直流电阻49 　3.9　负载线49 　3.10　表面贴装二极管50 　3.11　电子系统简介51 　总结52 　习题54 第4章　二极管电路57 　4.1　半波整流器58 　4.2　变压器61 　4.3　全波整流器62 　4.4　桥式整流器64 　4.5　扼流圈输入滤波器67 　4.6　电容输入滤波器68 　4.7　峰值反向电压和浪涌电流73 　4.8　关于电源的其他知识74 　4.9　故障诊断77 　4.10　削波器和限幅器79 　4.11　钳位器81 　4.12　电压倍增器83 　总结85 　习题88 第5章　特殊用途二极管93 　5.1　齐纳二极管93 　5.2　带负载的齐纳稳压器96 　5.3　齐纳二极管的二阶近似99 　5.4　齐纳失效点101 　5.5　阅读数据手册102 　5.6　故障诊断106 　5.7　负载线108 　5.8　发光二极管108 　5.9　其他光电器件113 　5.10　肖特基二极管116 　5.11　变容二极管118 　5.12　其他类型二极管120 　总结122 　习题125 第6章　双极型晶体管基础128 　6.1　无偏置的晶体管129 　6.2　有偏置的晶体管129 　6.3　晶体管电流131 　6.4　共发射极组态133 　6.5　基极特性134 　6.6　集电极特性135 　6.7　晶体管的近似138 　6.8　阅读数据手册140 　6.9　表面贴装晶体管145 　6.10　电流增益的变化146 　6.11　负载线147 　6.12　工作点150 　6.13　饱和的识别152 　6.14　晶体管开关154 　6.15　故障诊断155 　总结158 　习题161 第7章　双极型晶体管的偏置164 　7.1　发射极偏置164 　7.2　LED驱动166 　7.3　发射极偏置电路的故障诊断168 　7.4　光电器件170 　7.5　分压器偏置172 　7.6　VDB电路的精确分析174 　7.7　VDB电路的负载线与Q点176 　7.8　双电源发射极偏置178 　7.9　其他类型的偏置181 　7.10　分压器偏置电路的故障诊断183 　7.11　pnp型晶体管184 　总结185 　习题189 第8章　双极型晶体管的基本放大器193 　8.1　基极偏置放大器194 　8.2　发射极偏置放大器197 　8.3　小信号工作199 　8.4　交流电流增益201 　8.5　发射结交流电阻201 　8.6　两种晶体管模型204 　8.7　放大器的分析205 　8.8　数据手册中的交流参量208 　8.9　电压增益210 　8.10　输入电阻的负载效应213 　8.11　发射极负反馈放大器215 　8.12　故障诊断218 　总结219 　习题222 第9章　多级、共集和共基放大器226 　9.1　多级放大器226 　9.2　两级反馈229 　9.3　CC放大器231 　9.4　输出阻抗234 　9.5　CE-CC级联放大器237 　9.6　达林顿组合237 　9.7　稳压应用240 　9.8　CB放大器242 　9.9　多级放大器的故障诊断245 　总结246 　习题249 第10章　功率放大器254 　10.1　放大器相关术语254 　10.2　两种负载线256 　10.3　A类工作259 　10.4　B类工作265 　10.5　B类推挽射极跟随器265 　10.6　AB类放大器的偏置269 　10.7　AB类放大器的驱动270 　10.8　C类工作272 　10.9　C类放大器的公式274 　10.10　晶体管额定功率279 　总结281 　习题284 第11章　结型场效应晶体管288 　11.1　基本概念288 　11.2　漏极特性曲线290 　11.3　跨导特性曲线292 　11.4　电阻区的偏置293 　11.5　有源区的偏置294 　11.6　跨导302 　11.7　JFET放大器303 　11.8　JFET模拟开关307 　11.9　JFET的其他应用309 　11.10　阅读数据手册314 　11.11　JFET的测试316 　总结317 　习题320 第12章　MOS场效应晶体管325 　12.1　耗尽型MOS场效应晶体管325 　12.2　耗尽型MOS场效应晶体管特性曲线326 　12.3　耗尽型MOS场效应晶体管放大器327 　12.4　增强型MOS场效应晶体管328 　12.5　电阻区330 　12.6　数字开关335 　12.7　互补MOS管337 　12.8　功率场效应晶体管338 　12.9　高侧MOS晶体管负载开关344 　12.10　MOS晶体管H桥电路346 　12.11　增强型MOS场效应晶体管放大器350 　12.12　宽禁带MOS场效应晶体管352 　12.13　MOS场效应晶体管的测试356 　总结356 　习题359 第13章　晶闸管363 　13.1　四层二极管363 　13.2　可控硅整流器366 　13.3　可控硅短路器373 　13.4　可控硅整流器相位控制375 　13.5　双向晶闸管377 　13.6　绝缘栅双极型晶体管382 　13.7　其他晶闸管386 　13.8　故障诊断388 　总结388 　习题390 答案（奇数编号的习题）394 內容試閱： 第9版前言 Electronic Principles的第9版保留了之前版本的主要内容，对半导体器件和电子电路进行了清晰的解释和深入的介绍，预备知识为直流电路、交流电路、代数和部分三角函数的内容，既适合电子工程师学习使用，也适合作为第一次学习线性电路课程的学生的参考书。Electronic Principles的第9版涵盖的内容比较广泛，推荐将其作为固体电子学课程的参考书。 Electronic Principles的第9版旨在使读者对半导体器件特性、测试及其应用电路有基本的理解。本书对概念的解释清晰，并采用易懂的对话式的写作风格，方便读者理解电子系统的工作原理和故障诊断。电路实例、应用和故障诊断练习贯穿于各个章节。本书的部分例子可用Multisim进行电路仿真，从而使电路贴近实际应用，有助于读者提高故障排除技能。 Electronic Principles的第9版在第8版（共22章）的基础上，新增了第23章。我们已经进入了第四次工业革命（工业4.0）的时代，第23章介绍了工业4.0背景下的智能传感器、无源传感器、有源传感器、数据转换和数据交换。第23章使用的实例结合了书中的相关概念，给出了半导体器件和电路的实际应用。 Electronic Principles的第9版的更新如下： ●新增的“电子领域的创新者” 可让读者了解电子领域的发展和重要创新者。 ●扩充的“知识拓展”条目介绍了有关半导体器件和应用的其他内容及趣事。 ●增加了电子器件的照片。 ●每章后面列出相关的实验。 ●新增的1.7节“交流电路故障诊断”提出了示波器信号跟踪技术和半分故障诊断方法，与相关实验手册中新的故障诊断流程相对应。 ●激光雷达系统（LiDAR）作为第5章光电部分的应用实例。 ●介绍了碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）宽禁带半导体。 ●将信号跟踪和半分故障诊断方法用于多级放大器的故障诊断。 ●扩充了AB类功率放大器的故障诊断。 ●新增的12.12节“宽禁带MOS场效应晶体管”包括GaN和SiC高电子迁移率晶体管(hemt)的材料特性、结构和工作原理。 ●新增的第23章介绍了第四次工业革命（工业4.0）背景下的智能传感器等相关技术。该章所举实例与半导体器件和电路密切相关，它作为一个结合点，将全书内容联系在一起。

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