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內容簡介： 本书共分为4章，内容包括半导体器件缺陷及失效分析技术概要、硅集成电路(LSI)的失效分析技术、功率器件的缺陷及失效分析技术、化合物半导体发光器件的缺陷及失效分析技术。笔者在书中各处开设了专栏，用以介绍每个领域的某些方面。在第2~4章的末尾各列入了3道例题，这些例题出自日本科学技术联盟主办的“初级可靠性技术者”资格认定考试，题型为5选1，希望大家可以利用这些例题来测试一下自身的水平。 本书的读者包括：半导体器件工艺及器件的相关技术人员，可靠性技术人员，失效分析技术人员，试验、分析、实验的负责人，以及大学生、研究生等。因此，罗列的内容层次从基础介绍到最新研究，覆盖范围较广。 本书以图解的方式深入浅出地讲述了功率半导体制造工艺的各个技术环节。全书共分为11章，分别是：功率半导体的全貌、功率半导体的基本原理、各种功率半导体的原理和作用、功率半导体的用途与市场、功率半导体的分类、用于功率半导体的硅片、功率半导体制造工艺的特点、功率半导体生产企业介绍、硅基功率半导体的发展、挑战硅极限的碳化硅与氮化镓、功率半导体开拓的碳减排时代。 本书适合与半导体业务相关的人士、准备涉足半导体领域的人士、对功率半导体感兴趣的职场人士和学生阅读。 關於作者： 山本秀和，北海道大学研究生院工学研究科电气工学博士。在三菱电机从事Si-LSI及功率器件的研究开发。现任千叶工业大学教授，从事功率器件和功率器件产品的分析技术研究。曾任北海道大学客座教授、功率器件赋能协会理事、新金属协会硅晶体分析技术国际标准审议委员会委员长、新金属协会半导体供应链研究会副委员长等。 上田修，东京大学工学部物理工学博士。1974—2005年，在富士通研究所(股份有限公司)从事半导体中晶格缺陷的分析以及半导体发光器件、电子器件劣化机制阐明的研究。2005—2019年，在金泽工业大学研究生院工学研究科任教授。现为明治大学客座教授。 二川清，大阪大学研究生院基础工学研究科物理系工学博士。在NEC和NEC电子从事半导体可靠性和失效分析技术的实际业务和研究开发。曾任大阪大学特聘教授、金泽工业大学客座教授、日本可靠性学会副会长等职。现任芝浦工业大学兼职讲师。 佐藤淳一，毕业于京都大学工学研究科，并获得硕士学位。1978年开始就职于东京电气化学工业株式会社（现TDK），1982年开始就职于索尼公司。一直从事半导体和薄膜器件相关工艺的研究开发工作。在此期间，参与创建半导体技术公司，担任长崎大学兼职讲师、行业协会委员等职位，同时也是应用物理学会员。 目錄： 图解入门——半导体器件缺陷与失效分析技术精讲 图解入门——功率半导体基础与工艺精讲（原书第3版）

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