登入帳戶　 |　訂單查詢　 |　購物車/收銀台(0)　|　在線留言板　 |　付款方式　 |　聯絡我們　 |　運費計算　 |　幫助中心　|　 加入書簽
	全部範圍 - 圖書 - 　- 中文簡體書(大陸書) - 　- 英文書（原版） - - 音碟 - 　- 音樂 - 　- 影視 - - 雜誌 - 全文 精確	會員登入   新用戶註冊

HOME新書上架暢銷書架好書推介特價區會員書架精選月讀2024年度TOP分類閱讀雜誌

香港／國際用戶

最新/最熱/最齊全的簡體書網

品種：超過100萬種書，正品正价，放心網購，悭钱省心

送貨：速遞 / 物流，時效：出貨後2-4日

新書推薦： 《 维奥莱塔：一个女人的一生 》 售價：NT$ 347.0 《 商业银行担保管理实务全指引 》 售價：NT$ 658.0 《 信风万里：17世纪耶稣会中国年信研究（全二册） 》 售價：NT$ 811.0 《 青铜之美 国宝里的中式美学 》 售價：NT$ 806.0 《 海外中国研究·朱熹的思维世界（增订版） 》 售價：NT$ 653.0 《 甲骨文丛书·沙漠之王：英美在中东的霸权之争 》 售價：NT$ 505.0 《 汗青堂丛书147·光明时代：中世纪新史 》 售價：NT$ 388.0 《 能成事的团队 》 售價：NT$ 510.0

建議一齊購買： + NT$ 347 《 电力设备数智化与智慧健康评估技术 》 + NT$ 500 《 投资项目可行性研究报告编写指南（2023年版） 》 + NT$ 301 《 FPGA设计与开发零基础入门到精通 》 + NT$ 434 《 碳纤维增强复合材料加工技术研究 》 + NT$ 458 《 完全图解：零基础木工家具超简单精通 》 + NT$ 505 《 西门子S7-1200/1500 PLC SCL语言编程从入门到精通 》 內容簡介： 本书共分9章，主要内括各种元素掺杂GaN纳米线的制备工艺与性能测试。对掺杂可以改善GaN纳米线电学特性的原行了讨论。另外，还介绍了Al覆GaN纳米线的制备及表征，分析了Al覆GaN纳米线的形成机理。本书内容涉及物理、化学、材料和电子信息等多个领域的相关知识，书中详细地给出了各种掺杂GaN纳米线制备的很好工艺，以便读者更好地了解本书的内容。本书可供电子科学与技术、微电子学与固体电子学、光电信息工程、物理学类本科生、研究生及相关领域工程技术人员阅读。也可作为高等院校相关专业师生的教学参考书。 目錄： 目录1绪论11.1纳米材料概述11.2GaN材料概述11.2.1物理性质21.2.2化学性质21.2.3电学性质21.2.4光学特性21.3GaN纳米线的合成方法31.3.1分子束外延法31.3.2金属有机化学气相沉积法31.3.3氢化物输运气相外延生长法41.3.4模板生长法41.3.5激光烧蚀法41.3.6氧化物辅助生长法41.3.7化学气相沉积法51.3.8溶胶凝胶法51.4纳米线的生长机制51.4.1气液固机制51.4.2气固机制.3GaN纳米线表征与性能测试方法61.5场71.5.1典FN理论71.5.2半导体场致电子发射91.5.3相关概念10参考文献112P掺杂GaN纳米线的制备及性能142.1实验原料142.2衬底的处理152.3实验步骤及形貌分析162.3.1基本实验步骤162.3.2不同氨化温度对P掺杂GaN纳米线形貌的影响162.3.3不同氨化时间对P掺杂GaN纳米线形貌的影响172.3.4不同氨气流量对P掺杂GaN纳米线形貌的影响182.3.5不同浓度P掺杂对GaN纳米线形貌的影响192.4P掺杂GaN纳米线的物相分析212.4.1纯净GaN纳米线的物相分析212.4.2掺杂源比例为1∶30的P掺杂GaN纳米线的物相分析222.4.3掺杂质量比为1∶的P掺杂GaN纳米线的物相分析232.4.4掺杂质量比为1∶10的P掺杂GaN纳米线的物相分析242.5P掺杂GaN纳米线的性能252.6P掺杂GaN纳米的生长机制分析26参考文献273Te掺杂GaN纳米线的制备及性能283.1实验方法及设备283.2实验过程293.3样品的表征与分析303.3.1样品的表征方法303.3.2Ga2O3和Te质量比对纳米线的影响303.3.3反应温度对纳米线的影响343.3.4Te掺杂GaN纳米线的Raman分析3Te掺杂GaN纳米线的性能38参考文献414Sn掺杂GaN纳米线的制备及性能424.1实验方案424.1.1制备方法424.1.2实验品的选择434.2实验设备434.3实验过程444.4结果与讨论454.4.1氨化温度对Sn掺杂GaN纳米线的影响454.4.2氨气流量对Sn掺杂GaN纳米线的影响4.3氨化时间对Sn掺杂GaN纳米线的影响4.4Sn掺杂浓度对GaN纳米线材料的影响484.4.5Sn掺杂GaN纳米线的XRD表征494.4.6Sn掺杂GaN纳米线的EDX表征504.5Sn掺杂GaN纳米线生长机制分析524.5.1气液固生长机制524.5.2Sn掺杂GaN纳米线的生长机制分析524.6Sn掺杂GaN纳米线的性能53参考文献545Ge掺杂GaN纳米线的制备及性能565.1制备方法565.2表征方法575.3实验过程575.3.1实验原料与主要设备575.3.2Ge掺杂GaN纳米线的制备575.4不同浓度Ge掺杂GaN纳米线的制备及性能5.4.1样品制备5.4.2SEM表征655.4.3EDS表征XRD表征6.5TEM表征685.5六棱锥状Ge掺杂GaN纳米线的制备及性能695.5.1样品制备695.5.2SEM表征705.5.3EDS表征705.5.4XRD表征715.5.5生长机理分析72参考文献736Sb掺杂GaN纳米线的制备及性能746.1实验仪器746.2实验方法和品试剂756.2.1实验方法756.2.2品试剂756.3样品表征方法75样品制备及形貌分析75.1氨化温度对Sb掺杂GaN纳米线形貌的影响7.2氨化时间对Sb掺杂GaN纳米线形貌的影响77.3氨气流量对Sb掺杂GaN纳米线形貌的影响78.4掺杂质量比对Sb掺杂GaN纳米线形貌的影响816.5不同掺杂质量比的Sb掺杂GaN纳米线物相分析836.5.1不同掺杂质量比的Sb掺杂GaN纳米线XRD分析836.5.2不同掺杂质量比的Sb掺杂GaN纳米线EDS分析856.6Sb掺杂GaN纳米线的生长机制分析86参考文献877CSn共掺GaN纳米线的制备及性能887.1实验方法及设备试剂887.1.1实验方法887.1.2实验设备及实验品试剂897.2衬底的选择897.3实验步骤及形貌分析907.3.1实验步骤907.3.2氨化温度对CSn共掺GaN纳米线形貌的影响917.3.3不同浓度CSn共掺对GaN纳米线形貌的影响937.3.4掺杂比为1∶1∶15时氨化时间和气流量对纳米线形貌的影响957.3.5掺杂比为1∶1∶时氨化时间和气流量对纳米线形貌的影响9CSn共掺GaN纳米线的EDS表征987.5CSn共掺GaN纳米线的XRD表征100参考文献1018SeTe共掺GaN纳米线的制备及性能1038.1SeTe共掺GaN纳米线的制备1038.2实验结果与分析1048.2.1不同氨化温度对SeTe共掺GaN纳米线形貌的影响1048.2.2不同氨气流量对SeTe共掺GaN纳米线形貌的影响1048.2.3不同氨化时间对SeTe共掺GaN纳米线形貌的影响1068.2.4掺杂浓度对SeTe共掺GaN纳米线形貌的影响1088.3SeTe共掺GaN纳米线的物相分析1088.3.1纯净GaN纳米线的物相分析1088.3.2掺杂比例为∶1∶1的GaN纳米线的物相分析1098.3.3掺杂比例为10∶1∶1 GaN纳米线的物相分析1108.4SeTe共掺GaN纳米线生长机制的分析1118.5SeTe共掺GaN纳米线的性能112参考文献1159GaN/AlN核壳结构纳米线的制备及理论研究1169.1理论计算概念简介1169.1.1性原理1169.1.2波恩奥本海默近似1179.1.3单电子近似1189.1.4密度泛函理论1199.1.5KS方程与交换关联能1199.2计算软件简介1219.2.1MS软件1219.2.2VASP软件1229.3参数设定与模型构建1229.4计算结果与分析1239.4.1吸附能计算1239.4.2晶格参数优化1249.4.3能带结构与电子态密度分析1259.4.4不同核直径对GaN/AlN核壳纳米线电子结构的调控1259.4.5对GaN/AlN核壳纳米线电子结构的调控1279.4.6差分电荷密度分析1289.4函数计算1289.4.8光学特性分析1299.5实验方案设计1389.5.1衬底预处理1389.5.2生长核材料1399.5.覆壳层材料1409.6实验品1409.6.1生长GaN纳米线1419.6.覆AlN壳层1419.7结果与分析1429.7.1研究生长温度对GaN/AlN核壳结构纳米线的影响1429.7.2研究NH3流量对GaN/AlN核壳结构纳米线的影响1469.7.3研究Al源位置对GaN/AlN核壳结构纳米线的影响1489.7.4GaN/AlN核壳结构纳米线EDS表征测试1529.7.5GaN/AlN核壳结构纳米线XRD表征测试1539.7.6GaN/AlN核壳结构纳米线的TEM表征测试1539.7.7GaN/AlN核壳结构纳米线PL谱155参考文献156

書城介紹　 |　合作申請　|　索要書目　 |　新手入門　|　聯絡方式　 |　幫助中心　|　找書說明　 |　送貨方式　|　付款方式	台灣用户　|　香港/海外用户
megBook.com.tw
Copyright (C) 2013 - 2025 （香港）大書城有限公司　All Rights Reserved.