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| 內容簡介： |
本书系统介绍宇航MOSFET器件的单粒子效应机理和加固技术。全书共6章，主要内容包括空间辐射环境与基本辐射效应、宇航M0SFET器件的空间辐射效应及损伤模型、宇航M0SFET器件抗单粒子辐射加固技术、宇航M0SFET器件测试技术与辐照试验，并以一款宇航DM0S器件为实例，详述了抗单粒子加固样品的结构设计和制造工艺细节，最后介绍宇航MOSFET器件的应用及发展趋势。
本书是作者总结多年的工作实践经验和研究成果撰写而成，可供微电子相关专业师生，以及从事微电子器件工艺开发和抗辐射加固技术研究的工程人员阅读参考。
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| 目錄：
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第1章 空间辐射环境与基本辐射效应
1.1 空间辐射环境
1.1.1 太阳宇宙射线
1.1.2 银河宇宙射线
1.1.3 地球俘获带
1.2 基本辐射效应
1.2.1 位移损伤效应
1.2.2 总剂量效应
1.2.3 单粒子效应
1.3 单粒子辐射加固功率MOSFET器件面临的挑战
1.3.1 航天应用对功率MOSFET器件的可靠性要求
1.3.2 航天应用对功率MOSFET器件的抗辐射要求
本章参考文献
第2章 宇航MOSFET器件的空间辐射效应及损伤模型
2.1 重离子与材料的相互作用
2.1.1 重离子在材料中的能量损失
2.1.2 重离子在材料中的射程
2.2 宇航MOSFET器件物理
2.2.1 宇航VDMOS器件的基本器件结构
2.2.2 宇航VDMOS器件静态参数
2.2.3 宇航VDMOS器件动态参数
2.2.4 宇航VDMOS器件极限参数
2.3 宇航MOSFET器件的单粒子辐射效应
2.3.1 功率MOSFET的SEB效应
2.3.2 功率MOSFET的SEGR效应
2.3.3 功率MOSFET的SEB致SEGR效应
2.4 宇航MOSFET器件的单粒子辐射损伤模型
2.4.1 描述单粒子效应的几个重要概念
2.4.2 功率MOSFET器件单粒子辐射效应的影响因素
2.4.3 功率MOSFET的SEB损伤模型
2.4.4 功率MOSFET的SEGR损伤模型
本章参考文献
第3章 宇航 MOSFET器件抗单粒子辐射加固技术
3.1 抗单粒子辐射加固整体思路
3.2 屏蔽技术
3.3 复合技术
3.3.1 局部高掺杂技术
3.3.2 异质材料界面技术
3.3.3 重金属复合中心技术
3.4 增强技术
3.4.1 栅介质增强技术
3.4.2 寄生三极管触发阈值提升技术
3.4.3 两种功率MOSFET器件新结构对比分析
本章参考文献
第4章 宇航MOSFET器件测试技术与辐照试验
4.1 宇航MOSFET器件的应用说明
4.2 MOSFET器件测试技术
4.2.1 电参数测试
4.2.2 安全工作区
4.2.3 宇航 MOSFET的破坏机理和对策
4.3 单粒子辐照试验源
4.3.1 单粒子辐照试验源分类
4.3.2 国外主流的重离子加速器
4.3.3 国内的单粒子辐照试验源
4.4 单粒子辐照试验注意事项
4.5 单粒子辐照试验系统设计
4.5.1 单粒子效应研究手段
4.5.2 单粒子辐照试验原理
4.5.3 单粒子辐照试验系统设计
4.6 单粒子辐照试验案例
4.6.1 单粒子辐照试验条件
4.6.2 MOSFET器件单粒子试验条件和结果
4.6.3 单粒子试验结果分析
本章参考文献
第5章 宇航MOSFET器件设计实例
5.1 材料的选择与参数设计
5.2 宇航MOSFET器件结构设计
5.2.1 MOSFET/VDMOS器件元胞结构设计实例
5.2.2 实例VDMOS器件终端结构设计
5.2.3 寄生三极管检测结构设计
5.3 实例VDMOS器件电参数设计及抗辐射评估
5.3.1 实例VDMOS器件电参数设计
5.3.2 实例VDMOS器件抗辐射能力评估
5.4 实例VDMOS器件工艺设计
5.4.1 整体工艺流程设计
5.4.2 关键工艺模块设计
5.4.3 关键工艺窗口设计
5.5 实例VDMOS版图设计
5.5.1 实例VDMOS器件整体版图布局
5.5.2 实例VDMOS器件元胞版图设计
5.5.3 实例VDMOS器件终端版图设计
5.6 实例VDMOS器件流片结果与分析
本章参考文献
第6章 宇航MOSFET器件的应用及发展趋势
6.1 宇航MOSFET器件在电源管理芯片中的设计及典型应用
6.1.1 MOSFET器件在半桥开关里的应用
6.1.2 MOSFET抗总剂量辐射设计
6.1.3 MOSFET抗单粒子烧毁设计
6.1.4 MOSFET抗单粒子栅穿解决途径
6.2 宇航MOSFET器件的发展展望
6.2.1 硅MOSFET发展展望
6.2.2 SiC MOSFET发展展望
本章参考文献
名词索引
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