《集成电路工艺实验基础》 - 台灣·大書城 - 石建军，郭颖 - 东华大学出版社

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『簡體書』集成电路工艺实验基础

書城自編碼： 3882297
分類：簡體書→大陸圖書→教材→研究生/本科/专科教材
作者：石建军，郭颖
國際書號(ISBN)： 9787566922137
出版社：东华大学出版社
出版日期： 2023-06-01

頁數/字數： /
書度/開本： 16开釘裝：平装

售價：NT$ 230

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內容簡介：

全书分3章，共26个实验，第1章为基础工艺，包含真空技术、硅片的清洗及氧化、光刻工艺流程实验教学、氧等离子体刻蚀、等离子体增强化学气相沉积、磁控溅射法制备金属薄膜、原子层沉积法制备纳米薄膜的实验原理及工艺流程；第2章为检测测量技术，包含MOSFET 器件特性的测量与分析、椭圆偏振仪测薄膜厚度、紫外可见分光光度计测量亚甲基蓝溶液浓度、傅立叶变换红外光谱法 (FTIR) 测定硅中杂质氧的含量、等离子体朗缪尔探针诊断技术、等离子体发射光谱诊断技术、质谱法测定氧气放电组成成份及能量实验、半导体二极管的伏安特性及温度特性、ICCD 器件的特性研究及应用、四探针法测量相变材料的变温电阻曲线、薄膜厚度和形貌测量；第3章为工艺基础及应用，包含表面波等离子体放电实验、脉冲放电等离子体特性实验、低气压容性耦合等离子体特性实验、低气压感性耦合等离子体 (ICP) 特性实验、等离子体晶格、等离子体功能材料制备与光学性能检测、低温等离子体染料废水处理实验、低温等离子体产生 O3 及其应用的实验探索。本书的目标和任务是使学生熟练掌握半导体材料和器件的制备、基本物理参数以及物理性质的测试原理和表征方法，为半导体材料与器件的开发、设计与研制打下坚定基础。

目录

■ 章基础工艺
实验11真空技术/2
实验12硅片的清洗及氧化 /10
实验13光刻工艺流程实验教学/16
实验14氧等离子体刻蚀/20
实验15等离子体增强化学气相沉积/27
实验16磁控溅射法制备金属薄膜/33
实验17原子层沉积法制备纳米薄膜的实验原理及
工艺流程/38

■ 第二章检测测量技术
实验21MOSFET器件特性的测量与分析/45
实验22椭圆偏振仪测薄膜厚度/51
实验23紫外可见分光光度计测量亚甲基蓝溶液浓度/56
实验24傅立叶变换红外光谱法(FTIR)
测定硅中杂质氧的含量/62
实验25等离子体朗缪尔探针诊断技术/68
附录/74
实验26等离子体发射光谱诊断技术/78
附录/83
实验27质谱法测定氧气放电组成成份及能量实验/84
实验28半导体二极管的伏安特性及温度特性/90
实验29ICCD器件的特性研究及应用/95
实验210四探针法测量相变材料的变温电阻曲线/104
实验211薄膜厚度和形貌测量/111

■ 第三章工艺基础及应用
实验31表面波等离子体放电实验/118
实验32脉冲放电等离子体特性实验/125
实验33低气压容性耦合等离子体特性实验/130
附录/135
实验34低气压感性耦合等离子体(ICP)特性实验/137
实验35等离子体晶格/141
实验36等离子体功能材料制备与光学性能检测/147
实验37低温等离子体染料废水处理实验/151
实验38低温等离子体产生O3及其应用的实验探索/160

■ 参考文献/164

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