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| 內容簡介： |
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本书以集成电路领域中的等离子体刻蚀为切入点，介绍了等离子体基础知识、基于等离子体的刻蚀技术、等离子体刻蚀设备及其在集成电路中的应用。全书共8章，内容包括集成电路简介、等离子体基本原理、集成电路制造中的等离子体刻蚀工艺、集成电路封装中的等离子体刻蚀工艺、等离子体刻蚀机、等离子体测试和表征、等离子体仿真、颗粒控制和量产。本书对从事等离子体刻蚀基础研究和集成电路工厂产品刻蚀工艺调试的人员均有一定的参考价值。
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| 關於作者： |
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赵晋荣，北京北方华创微电子装备有限公司董事长，教授级高工，北京学者。赵晋荣同志从事集成电路装备行业37年，主导实施了多项国家科技攻关项目，项目成果填补多项国内空白。曾获得国家科技进步二等奖、国家科技重大专项“突出贡献奖”、“北京市劳动模范”等多项荣誉，入选国家百千万人才工程、科技北京百名领军人才等多项人才计划。
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| 目錄：
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第1章 集成电路简介11.1 集成电路简史11.1.1 什么是集成电路11.1.2 集成电路发展简史11.1.3 集成电路产业的分工和发展51.1.4 集成电路产业垂直分工历程61.2 集成电路分类61.2.1 存储器IC71.2.2 微元件IC81.2.3 模拟IC81.2.4 逻辑IC91.3 集成电路未来的挑战9参考文献10第2章 等离子体基本原理112.1 等离子体的基本概念112.1.1 等离子体的定义112.1.2 等离子体的参数空间122.1.3 等离子体的描述方法132.1.4 等离子体的关键特征和参量142.1.5 等离子体判据172.1.6 等离子体鞘层182.2 集成电路常用的等离子体产生方式202.2.1 容性耦合等离子体202.2.2 感性耦合等离子体242.2.3 电子回旋共振等离子体30参考文献31第3章 集成电路制造中的等离子体刻蚀工艺333.1 等离子体刻蚀的发展333.1.1 传统等离子体刻蚀353.1.2 脉冲等离子体刻蚀363.1.3 原子层刻蚀373.2 前道工艺383.2.1 浅沟槽隔离（STI）刻蚀393.2.2 多晶硅栅极（Gate）刻蚀423.2.3 侧墙（Spacer）刻蚀443.3 中道工艺及后道工艺453.3.1 接触孔和通孔及介质沟槽刻蚀463.3.2 钨栓和钨栅极刻蚀533.3.3 铝线刻蚀和铝垫刻蚀553.3.4 氮化钛刻蚀603.3.5 干法去胶及钝化62参考文献63第4章 集成电路封装中的等离子体刻蚀工艺654.1 先进封装中的等离子体表面处理654.1.1 去除残胶664.1.2 去除残留金属664.1.3 改善润湿性674.1.4 提高表面结合力674.2 先进封装中的等离子体硅刻蚀684.2.1 硅整面减薄工艺684.2.2 硅通孔刻蚀工艺694.2.3 等离子体切割工艺724.2.4 扇出型封装中的硅刻蚀工艺734.3 先进封装中的聚合物刻蚀744.4 先进封装中翘曲片的等离子体处理方法75参考文献76第5章 等离子体刻蚀机785.1 等离子体刻蚀机软硬件结构785.1.1 传输系统785.1.2 真空控制系统815.1.3 射频系统835.1.4 温度控制系统845.1.5 附属设备855.1.6 整机控制系统855.2 关键结构的设计865.2.1 反应腔865.2.2 静电卡盘885.2.3 匀流板905.3 等离子体刻蚀机工艺参数简介905.4 等离子体刻蚀机工艺结果评价指标915.4.1 刻蚀形貌915.4.2 刻蚀速率965.4.3 刻蚀均匀性965.4.4 选择比995.4.5 其他工艺结果评价指标99参考文献100第6章 等离子体测试和表征1026.1 等离子体密度和能量诊断技术1026.1.1 静电探针等离子体诊断1026.1.2 离子能量分析仪等离子体诊断1086.2 光学发射光谱终点检测技术1126.2.1 终点检测原理1126.2.2 终点检测系统介绍1126.2.3 光学发射光谱检测技术在等离子体刻蚀中的应用1136.3 激光干涉终点检测技术1176.3.1 激光干涉原理1176.3.2 IEP算法介绍119参考文献121第7章 等离子体仿真1237.1 刻蚀机涉及的物理场1237.1.1 等离子体场1237.1.2 电磁场1317.1.3 流场1327.1.4 温度场1337.1.5 化学反应1367.1.6 各物理场之间的耦合1377.2 多物理场仿真技术1397.2.1 多物理场仿真技术简介1397.2.2 仿真分析基本流程1417.2.3 相关仿真案例146参考文献154第8章 颗粒控制和量产1558.1 缺陷和颗粒介绍1558.2 缺陷和颗粒问题带来的影响1568.3 缺陷和颗粒污染控制手段1578.3.1 刻蚀机传输模块的颗粒缺陷和颗粒控制1578.3.2 刻蚀机工艺模块的颗粒缺陷和颗粒控制1618.4 提高刻蚀量产稳定性的方法162参考文献164
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