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內容簡介: |
低温等离子体被广泛应用于脉冲激光沉积、磁控溅射、等离子体增强化学气相沉积等现代半导体薄膜真空沉积技术中,并承担着薄膜组分物质输运、薄膜形核与生长动力学调控等关键性角色。由于等离子体性质是联系薄膜真空沉积条件与沉积性能的关键性纽带,以对等离子体性质的表征与探测为突破口并建立其与薄膜沉积条件和性能之间的基础关系,有助于从理论角度为薄膜沉积条件的设计与动力学过程优化提供依据。《薄膜真空沉积中的等离子体探测方法与技术》结合作者的长期相关研究系统介绍了低温等离子体的常用探测方法;重点结合脉冲激光沉积实例对等离子体与背景气体间复杂的物理碰撞与化学反应,以及对薄膜沉积的基础性影响关系作详细介绍。
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目錄:
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目录
前言
第1章 等离子体技术与薄膜真空沉积 1
1.1 低温等离子体概述 1
1.2 低温等离子体的产生 4
1.3 应用等离子体技术的薄膜真空沉积方法 7
1.4 低温等离子体的测量与表征方法 15
1.5 应用于薄膜真空沉积的等离子体综合探测平台 17
1.6 本章小结 22
参考文献 22
第2章 等离子体的直接探测技术 24
2.1 朗缪尔探针技术 24
2.2 应用于低温等离子体探测的质谱技术概述 32
2.3 本章小结 35
参考文献 36
第3章 等离子体的间接表征技术 37
3.1 发射光谱技术 37
3.2 等离子体成像技术 46
3.3 本章小结 49
参考文献 49
第4章 脉冲激光沉积(1):激光诱导等离子体的初始性质 50
4.1 脉冲激光诱导等离子体的产生与传播机理 51
4.2 脉冲激光诱导初始等离子体的离子特性 59
4.3 脉冲激光诱导等离子体中的电子性质 63
4.4 脉冲激光诱导非金属单质的等离子体性质 70
4.5 脉冲激光沉积法生长合金化合物 75
4.6 本章小结 78
参考文献 78
第5章 脉冲激光沉积(2):等离子体与背景气体的物理作用 80
5.1 等离子体与背景气体间的相互作用 80
5.2 气体平均碰撞自由程与等离子体传输模式 81
5.3 氧化性背景气体压力对脉冲激光沉积的影响关系 85
5.4 惰性气体压力对脉冲激光沉积的影响关系 88
5.5 卢瑟福背散射与弹性反冲探测分析技术 93
5.6 本章小结 95
参考文献 95
第6章 脉冲激光沉积(3):等离子体与背景气体间化学反应 97
6.1 氧气背景气体压力对等离子体组分的调控关系 97
6.2 氧气下脉冲激光沉积切削能量密度对等离子体组分的调控关系 104
6.3 氧气背景气体下脉冲激光沉积中金属元素的普适性氧化规律 107
6.4 脉冲激光沉积氧化物薄膜中氧元素的来源追踪 110
6.5 3-YSZ、Ca3Co4O9脉冲激光沉积中的等离子体化学反应 114
6.6 本章小结 120
参考文献 120
第7章 脉冲激光沉积(4):N2O强氧化性气体下的等离子体反应 122
7.1 N2O背景气体下脉冲激光诱导等离子体特性举例 122
7.2 N2O背景气体中等离子体化学反应的普适性规律 125
7.3 N2O背景气体中等离子体的离子动能 128
7.4 N2O背景气体下氧化物脉冲激光沉积薄膜中的氧元素追踪 132
7.5 本章小结 134
参考文献 134
第8章 脉冲激光沉积(5):脉冲气体交叉反应切削 136
8.1 脉冲气体交叉反应切削沉积技术简介 136
8.2 脉冲气体交叉反应沉积的等离子体综合探测平台 137
8.3 从等离子体角度讨论脉冲气体交叉反应沉积的技术特点 137
8.4 本章小结 145
参考文献 145
第9章 总结与展望 147
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