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| 內容簡介： |
《晶体管非线性模型参数提取技术》旨在对晶体管模型参数提取提供全面的概述：一方面，基本前提是参数提取与建立基于物理模型本身同等重要；另一方面，即使对不同的技术，提取方法也往往基于同样的想法和假设；因此，《晶体管非线性模型参数提取技术》的目的是给出一个较为宽泛的想法，聚焦于一个主题和概念，而非限定在某一特定的晶体管类型。
《晶体管非线性模型参数提取技术》是基于2009年由编辑组织的IEEE微波技术和理论协会国际微波研讨会上的一个专题，每一章对应于专题中的一个报告。范围覆盖了参数提取中几乎所有的任务：从直流到小信号参数，如何集成小信号参数以获得如电荷和电流等大信号参量；如何确定非本征单元的数值；晶体管封装建模和自热；色散效应；噪声；晶体管加工统计；提取和验证的测量技术等。
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| 目錄：
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第1章 绪论
1．1 模型提取的挑战
1．1．1 精确性
1．1．2 数值收敛
1．1．3 建模晶体管的选择
1．2 模型提取流程
参考文献
第2章 直流与热模型：Ⅲ-V族FET和HBT
2．1 介绍
2．2 基本的直流特性
2．3 FET直流参数和建模
2．4 HBT直流参数和建模
2．5 工艺控制监测
2．6 热建模概述
2．7 基于物理的HBT热缩放模型
2．8 基于测量的FET热模型
2．9 晶体管可靠性评估
参考文献
第3章 Ⅲ-V族HBT和HEMT器件的非本征参数和寄生元件建模
3．1 引言
3．2 测试、校准和去嵌的构架
3．3 HBT非本征参数提取方法
3．3．1 等效电路拓扑
3．3．2 接触电阻和叠层电容的物理描述
3．3．3 外部电阻和电感的提取
3．4 HEMT非本征参数提取方法
3．4．1 冷FET方法
3．4．2 无偏置方法
3．4．3 GaNHEMT的特别之处
3．5 多胞阵列的缩放
参考文献
第4章 小信号等效电路建模的不确定性
4．1 介绍
4．1．1 建模中的不确定性来源
4．1．2 测量不确定性
4．2 直接提取方法的不确定性
4．2．1 直接提取的简单例子
4．2．2 晶体管测量结果
4．3 基于优化器的估计技巧
4．3．1 最大似然估计
4．3．2 小信号晶体管模型参数的MLE
4．3．3 MLE与直接提取方法的比较
4．3．4 MLE在RF-CMOS去嵌中的应用
4．3．5 讨论
4．4 等效电路建模中的复杂性与不确定性
4．4．1 寻找最佳模型拓扑
4．4．2 说明实例
4．5 总结和讨论
参考文献
第5章 大信号模型：理论基础、实际因素及最新进展
第6章 大尺寸装晶体管
第7章 高频功率晶体管非线性特性和色散效应模拟
第8章 模型构建和验证的优化微波测量
第9章 高效电路设计的实用统计仿真
第10章 噪声建模
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| 內容試閱：
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现今微波电路的设计主要依靠电路仿真，虽然无法替代设计师的技能、知识和经验，但设计师们能够依靠恰当的电路仿真工具以精确仿真电路性能。电路仿真器已日臻完善，影响仿真精确性的限制因素是模型的选用，因此人们一直在不断地探索在仿真器中使用的有效模型，晶体管技术的不断发展要求模型也要同步赶上。同时，对加诸模型上的条件也在不断增加，如较宽泛的信号类型、工作条件（如温度）和动态变化情况等。因此，电路设计者也经常要面临对设计电路中使用的模型进行修正的挑战，以期给仿真器提供更精确的晶体管描述，这种描述主要通过准确刻画晶体管特性来实现，而后者又主要通过测试、电磁和（或）热分析来完成。最后，在这个模型可以基本应用于所有设计前，需要从这些数据中提取模型的参数值。
由于晶体管的建模是电路设计的关键，在仿真器模型文档、应用说明、科技论文、学术会议和期刊等许多公开文献中都可以获得任何类型晶体管的可用模型，但是与之相对，如何确定各自模型参数的文献却要少得多。
本书旨在对晶体管模型参数提取提供全面的概述：一方面，基本前提是参数提取与建立基于物理模型本身同等重要；另一方面，即使对不同的技术，提取方法也往往基于同样的想法和假设；因此，这本书的目的是给出一个较为宽泛的想法，聚焦于一个主题和概念，而非限定在某一特定的晶体管类型。
这本书是基于2009年由编辑组织的IEEE微波技术和理论协会国际微波研讨会上的一个专题，每一章对应于专题中的一个报告。范围覆盖了参数提取中几乎所有的任务：从直流到小信号参数，如何集成小信号参数以获得如电荷和电流等大信号参量；如何确定非本征单元的数值；晶体管封装建模和自热；色散效应；噪声；晶体管加工统计；提取和验证的测量技术等。
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