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| 編輯推薦： |
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本书由知名专家施敏、梅凯瑞编写而成，介绍半导体制造工艺中涉及的技术和基础理论，对制造工艺优化、产品功能完善具有重要的参考价值。
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| 內容簡介： |
本书主要介绍从晶体生长到集成器件和电路的完整的半导体制造技术，具体包括晶体生长、硅的氧化、光刻、刻蚀、扩散、离子注入、薄膜淀积、工艺集成、集成电路制造、半导体制造的未来趋势和挑战等。每章均提供一些实例及解答，很后附有课外习题。
本书可供高等学校微电子、集成电路设计相关专业的学生使用，也可供从事半导体相关研究和开发的工程师与科学工作者参考。
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| 關於作者： |
施敏，微电子专家，中国工程院外籍院士，美国国家工程院院士，电气与电子工程师协会终身会士（IEEE Life Fellow）。
梅凯瑞（GaryS.May），加利福尼亚大学戴维斯分校校长，电气与电子工程师协会会员。
吴秀龙，安徽大学电子信息工程学院教授、博导，主要研究方向为微电子学、超大规模集成电路设计等；发表学术论文60余篇，获得发明专利授权14项。
彭春雨，安徽大学电子信息工程学院讲师，主要研究方向为超大规模集成电路设计、高性能低功耗高密度存储器设计等；发表学术论文20余篇，获得发明专利授权6项。
陈军宁，中国科学技术大学特聘教授，安徽大学电子信息工程学院教授、博导，电路与系统专业学科带头人，主要研究方向为超大规模集成电路与系统设计、微电子器件模拟与建模等；发表学术论文100余篇，出版图书4种。
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| 目錄：
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章 引言
1.1 半导体材料
1.2 半导体器件
1.3 半导体工艺技术
1.4 基本工艺步骤
1.5 总结
参考文献
第2章 晶体生长
2.1从熔融硅中生长单晶硅
2.2 硅的区熔法单晶生长工艺
2.3 砷化镓晶体的生长技术
2.4 材料特性
2.5 总结
习题
参考文献
第3章 硅的氧化
3.1 热氧化过程
3.2 氧化过程中的杂质再分布
3.3 二氧化硅的掩模特性
3.4 氧化质量
3.5 氧化层厚度特征
3.6 氧化模拟
3.7 总结
……
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