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| 編輯推薦： |
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本书立足微电子技术前沿的*技术成果，内容涉及半导体材料、新型半导体器件、集成电路设计工具与设计方法、集成电路工艺与封装技术等几个部分，涵盖了从材料、器件、设计到封装制造的*集成电路工具和技术，以培养创新实践能力为主线，将专业教育与创新实践教育有机融合，以培养创新创业精神为核心，为微电子专业提供了*的技术成果，是微电子专业的创新与实践的*指导书。本书内容翔实，论述深入浅出，可作为职业院校和高等院校的微电子技术相关专业的专科、本科和研究生的教材，也可作为电子制造工程师的参考书和电子企业教育培训的教材。
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| 內容簡介： |
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结合微电子专业人才培养目标，突出学生的创新创业能力和实践能力的培养，充分体现专业特点，在创新创业课程中融入创新方法、前沿技术、创业案例等创新创业教育内容。促进专业教育与创新创业教育有机融合的总要求，注重创新与创业相结合，
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| 關於作者： |
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陈力颖，现任教于天津工业大学电子与信息工程学院电子科学与技术系，副教授、系主任。2008年于天津大学取得博士学位，主要从事物联网、RFID、射频集成电路、模拟集成电路及数模混合集成电路等研究，已发表SCI论文5篇、El论文12篇，译作6部，专著1本。
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| 目錄：
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第1章 第三代半导体材料
1.1 第三代半导体材料概述
1.2 第三代半导体材料国内外技术现状与发展趋势
1.3 第三代半导体在光电器件领域的应用
1.3.1 半导体照明
1.3.2 短波长激光器
1.3.3 光伏电池
1.3.4 其他
1.4 AlGaNGaN高电子迁移率晶体管
1.4.1 GaN材料
1.4.2 AlGaNGaN HEMT结构
1.4.3 AlGaNGaN HEMT工作原理
1.5 ZnO异质结光电器件
1.5.1 ZnO晶体的物理性质和基本结构
1.5.2 ZnO的能带结构
1.5.3 ZnO的光学特性
1.5.4 ZnO的电学特性
1.5.5 ZnO的压电特性
1.5.6 ZnO紫外探测器
1.6 小结
参考文献
第2章 半导体纳米材料
2.1 纳米材料
2.1.1 纳米材料概述
2.1.2 纳米材料的特性
2.1.3 纳米材料的合成与制备
2.2 半导体纳米材料
2.2.1 半导体纳米材料概述
2.2.2 半导体纳米材料的特性
2.2.3 半导体纳米材料的合成与制备
2.2.4 半导体纳米材料的应用
2.3 纳米氧化锌复合材料在电化学生物传感器方面的应用
2.3.1 电化学生物传感器概述
2.3.2 电化学生物传感器的分类
2.3.3 基于氧化锌金纳米复合材料的电化学传感器对抗坏血酸和尿酸的同时检测
2.4 ZnO纳米材料在其他方面的应用
2.4.1 ZnO纳米材料在发光器件中的应用
2.4.2 ZnO纳米材料在太阳能电池中的应用
2.4.3 ZnO纳米材料在探测器中的应用
2.5 石墨烯
2.5.1 石墨烯概述
2.5.2 石墨烯复合材料
2.6 石墨烯基复合材料的应用
2.7 石墨烯硅光电探测器
2.7.1 石墨烯简介
2.7.2 石墨烯的制备方法
2.7.3 石墨烯在光电探测器中的应用
2.7.4 石墨烯硅光电探测器
参考文献
第3章 金属硫化物半导体材料
3.1 ZnS半导体材料
3.1.1 ZnS基本性质
3.1.2 ZnS薄膜的制备方法
3.2 ZnS应用研究
3.2.1 ZnS在太阳能电池方面的应用研究
3.2.2 ZnS在电致发光器件方面的应用研究
3.2.3 ZnS在透明电极方面的应用研究
3.3 二硫化钼最新研究进展
3.3.1 MoS2的性质和结构
3.3.2 MoS2的价带结构和光学性质
3.3.3 MoS2的制备方法
3.3.4 基于MoS2的场效应晶体管应用
3.4 小结
参考文献
第4章 金属硒化物半导体纳米材料
4.1 CdSe半导体纳米材料
4.1.1 CdSe的基本性质
4.1.2 CdSe纳米半导体薄膜的制备方法
4.1.3 CdSe半导体纳米材料的应用
4.2 SnSe半导体材料简述
4.2.1 引言
4.2.2 国内外SnSe材料研究现状
4.3 ZnSe半导体纳米材料
4.3.1 引言
4.3.2 ZnSe的性质、晶体结构及能带结构
4.3.3 ZnSe纳米材料的制备方法
4.3.4 ZnSe纳米材料的应用
4.4 小结
参考文献
第5章 绝缘栅双极型晶体管
5.1 IGBT原理
5.2 IGBT结构及分类
5.2.1 IGBT结构
5.2.2 PTIGBT和NPTIGBT
5.3 IGBT的工作原理
5.4 IGBT的特性分析
5.4.1 IGBT的静态特性
5.4.2 IGBT的动态特性
5.5 小结
参考文献
第6章 碳化硅器件
6.1 引言
6.2 SiC分立器件的研究现状
6.3 SiC器件的分类
6.3.1 SiC肖特基二极管
6.3.2 SiC功率器件
6.3.3 SiC开关器件
6.3.4 SiC微波器件
6.4 SiC集成电路的研究现状
6.5 SiC材料的外延生长
6.6 SiC材料的特点与结构
6.7 SiC器件在高温环境中的应用
6.8 小结
参考文献
第7章 高电子迁移率晶体管
7.1 HEMT简介
7.2 HEMT原理
7.2.1 MESFET
7.2.2 HEMT
7.3 HEMT器件热特性
7.4 AlGaNGaN材料HEMT器件优化分析与IV特性关系
7.4.1 引言
7.4.2 器件性能的优化分析
7.5 小结
参考文献
第8章 可控硅
8.1 可控硅简介
8.2 可控硅特性
8.3 可控硅的检测
8.3.1 单向可控硅的检测
8.3.2 双向可控硅的检测
8.3.3 光控可控硅的检测
8.4 可控硅元件的使用原理
8.4.1 可控硅的分类
8.4.2 可控硅元件使用的注意事项
8.4.3 可控硅元件的保护措施
8.5 可控硅应用
8.6 小结
参考文献
第9章 新工具、新技术在微电子学中的应用
9.1 人工神经网络
9.1.1 人工神经网络概述
9.1.2 人工神经网络基础
9.1.3 人工神经网络在微电子学中的应用
9.1.4 小结
9.2 智能优化算法
9.2.1 概述
9.2.2 禁忌搜索算法
9.2.3 模拟退火算法
9.2.4 遗传算法
9.2.5 遗传算法在集成电路设计中的应用
9.2.6 小结
9.3 异步设计
9.3.1 异步设计的研究
9.3.2 异步控制器的实现
9.4 小结
参考文献
第10章 集成电路的超低功耗设计
10.1 引言
10.2 集成电路的功耗分析
10.3 纳米尺度工艺的功耗趋势
10.4 超低功耗集成电路的工艺及器件结构
10.5 集成电路的低功耗设计技术
10.6 小结
参考文献
第11章 新型工艺
11.1 半导体工艺
11.1.1 半导体工艺概述
11.1.2 半导体工艺发展现状
11.2 7nm工艺
11.3 FinFET技术
11.3.1 FinFET概述
11.3.2 高K基FinFET
11.4 小结
参考文献
第12章 微电子新型封装技术
12.1 微电子封装技术
12.1.1 微电子封装技术概述
12.1.2 微电子封装技术发展及其方向
12.2 MEMS封装
12.2.1 MEMS封装技术
12.2.2 键合技术
12.2.3 倒装芯片封装技术
12.2.4 多芯片封装技术
12.3 叠层3D封装
12.3.1 芯片叠层
12.3.2 封装叠层
12.3.3 晶圆叠层3D封装
12.4 小结
参考文献
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近年来，随着5G移动通信技术、计算机技术、互联网技术和数字多媒体技术的迅猛发展，微电子技术的发展也日新月异。我国各级政府对集成电路产业重要性的认识不断深入，多层次多角度全方位地支持集成电路产业发展。21世纪将是微电子和光电子共同发挥越来越重要作用的时代，是电子科学与技术飞速发展的时代，是技术创新和变革的时代。
本书围绕着微电子技术前沿的最新技术成果，内容涉及半导体材料、新型半导体器件、集成电路设计工具与设计方法、集成电路工艺与封装技术等几个部分，涵盖了从材料、器件、设计到封装制造的最新集成电路工具和技术，以培养创新实践能力为主线，将专业教育与创新实践教育有机融合，以培养创新创业精神为核心，为微电子专业提供最新的技术成果，是微电子专业的创新与实践的最佳指导书。可作为职业院校和高等院校的微电子技术相关专业的专科、本科和研究生的教材，也可作为电子制造工程师的参考书和电子企业教育培训的教材。
在本书编写过程中，非常感谢以下人员协助对本书内容的整理和审校工作：王焱、倪立强、谭康、张长胜、臧涛、胥世俊、汤勇、翦彦龙。
微电子技术的发展一日千里，尽管竭尽一切可能保证本书内容的准确性，但仍难免出现各种疏漏，恳请各位读者批评指正。
陈力颖2020年4月于英国坎特伯雷
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