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| 內容簡介： |
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本书内容包括半导体器件基础、二极管及其应用电路、晶体管和场效应管放大电路的基本原理及频率响应、功率放大电路、多级放大电路、差分放大电路、电流源等模拟集成电路的单元电路、反馈电路、模拟集成运算放大器、电压比较器和波形变换电路等。本书对原版教材进行了改编，精简了内容，突出了重点，补充了必要知识点，内容更加新颖和系统化，反映了器件和应用的发展趋势，强调了系统工程的概念。
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| 目錄：
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第1章半导体二极管
1.1概述
1.2半导体材料：锗、硅和砷化镓
1.3共价键和本征材料
1.4掺杂材料：n型材料和p型材料
1.5半导体二极管
1.6理想特性与实际特性
1.7电阻水平
1.8二极管等效电路
1.9势垒电容和扩散电容
1.10反向恢复时间
1.11二极管规格表
1.12半导体二极管符号
1.13齐纳二极管
1.14发光二极管
1.15小结
1.16计算机分析
习题
第2章二极管应用
2.1概述
2.2负载线分析
2.3等效模型分析
2.4与或门
2.5正弦波输入、半波整流
2.6全波整流
2.7限幅电路
2.8钳位电路
2.9齐纳二极管
2.10小结
习题
第3章双极性结型晶体管
3.1概述
3.2晶体管的结构
3.3晶体管的工作原理
3.4共基组态
3.5晶体管放大原理
3.6共射组态
3.7共集组态
3.8晶体管的工作限
3.9晶体管规格说明书
3.10晶体管外形及引脚识别
3.11小结
习题
第4章BJT电路直流偏置
4.1概述
4.2工作点
4.3固定偏置电路
4.4射极偏置
4.5分压式偏置
4.6电压反馈式直流偏置
4.7其他偏置电路
4.8晶体管开关电路
4.9pnp型晶体管
4.10偏置的稳定性
4.11小结
习题
第5章BJT交流分析
5.1概述
5.2交流放大
5.3BJT管建模
5.4re晶体管模型
5.5混合等效模型
5.6混合π模型
5.7晶体管参数的变化
5.8固定偏置共射放大电路
5.9分压式偏置共射放大电路
5.10射极偏置共射放大电路
5.11射极跟随电路
5.12共基电路
5.13集电极反馈电路
5.14集电极直流反馈电路
5.15电流放大倍数的确定
5.16RL和RS的影响
5.17双端口网络方法
5.18总结表
5.19级联系统
5.20达林顿复合管
5.21反馈对复合管
5.22镜像电流源电路
5.23电流源电路
5.24简化混合等效模型
5.25小结
习题
第6章场效应晶体管
6.1概述
6.2结型场效应管的构造和特性
6.3转移特性
6.4规格清单（结型场效应管）
6.5重要关系
6.6耗尽型MOS场效应管
6.7增强型MOS场效应管
6.8互补型MOS场效应管
6.9总结表
6.10小结
习题
第7章场效应管的偏置
7.1概述
7.2固定偏置电路
7.3自偏置电路
7.4分压偏置电路
7.5耗尽型MOSFET
7.6增强型MOSFET
7.7总结表
7.8组合电路
7.9p沟道场效应管
7.10小结
习题
第8章场效应管放大器
8.1概述
8.2场效应管的小信号模型
8.3结型场效应管固定偏置的共源放大电路
8.4结型场效应管自偏置的共源放大电路
8.5结型场效应管分压偏置的共源放大电路
8.6结型场效应管的源极跟随器（共漏极）电路
8.7结型场效应管的共栅极电路
8.8耗尽型MOSFET
8.9增强型MOSFET
8.10增强型MOSFET漏极反馈共源放大电路
8.11增强型MOSFET分压偏置共源放大电路
8.12总结表
8.13RL和Rsig的影响
8.14级联电路
8.15小结
习题
第9章BJT和FET的频率响应
9.1概述
9.2一般的频率因素
9.3低频分析——伯德图
9.4低频响应——BJT放大器
9.5低频响应——FET放大器
9.6密勒效应电容或密勒电容
9.7高频响应——BJT放大器
9.8高频响应——FET放大器
9.9多级频率响应
9.10小结
习题
第10章运算放大器
10.1概述
10.2差分放大电路
10.3差模和共模操作
10.4BiFET, BiMOS和CMOS构成的差分放大电路
10.5运算放大器基础
10.6运算放大器参数——直流补偿参数
10.7运算放大器参数——频率参数
10.8运算放大器规格说明书
10.9小结
习题
第11章运算放大器的应用
11.1运算电路
11.2有源滤波器
11.3比较器应用
11.4施密特触发器
11.5小结
习题
第12章功率放大器
12.1概述——功率放大器的定义与类型
12.2串馈型甲类功率放大器
12.3变压器耦合甲类功率放大器
12.4乙类功率放大器的工作
12.5乙类功率放大器
12.6丙类和丁类功率放大器
12.7小结
习题
第13章反馈电路
13.1反馈的概念
13.2反馈的组态类型
13.3实用反馈电路
13.4反馈放大器——相位和频率考虑
13.5小结
习题
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