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| 內容簡介： |
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随着集成电路（IC）制造工艺的不断发展以及芯片复杂度的不断提升，IC的静电放电（ESD）防护设计需求日益增长，设计难度也越来越大，传统的ESD设计技术己不能很好地满足新型芯片的ESD防护要求。本书系统深入地阐述了IC的ESD防护设计原理与技术，内容由浅入深，既涵盖了ESD防护设计初学者需要了解的入门知识，也为读者深入掌握ESD防护设计技能和研究ESD防护机理提供参考。
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| 目錄：
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目录
前言
第1章 绪论
1.1 ESD现象 1
1.2 ESD对芯片的威胁 2
1.3 ESD防护种类 3
1.4 ESD防护研究发展和现状 5
参考文献 7
第2章 ESD测试标准和方法 9
2.1 概述 9
2.2 ESD主要模型及其测试方法 9
2.2.1 人体模型 9
2.2.2 机器模型 12
2.2.3 充电器件模型 13
2.2.4 IEO模型 14
2.2.5 人体金属模型 16
2.3 TLP测试标准和方法 17
参考文献 20
第3章 ESD防妒原理 22
3.1 ESD的防护和评估 22
3.2 器件级ESD防护方法 24
3.3 电路级ESD防护方法 35
3.4 系统级和板级卫SD防护方法 41
参考文献 43
第4章 纳米集成电路ESD防护设计和实例分析 44
4.1 概述 44
4.2 纳米集成电路ESD可靠性 46
4.3 纳米集成电路ESD防护目标 51
4.4 纳米集成电路ESD防护方法和实例 54
4.5 纳米集成电路ESD防护出十的版图优化 64
参考文献 67
第5章 射频集成电路ESD防护设计和实例分析 70
5.1 概述 70
5.2 射频集成电路ESD防护器件的评估方法 74
5.3 射频ESD防护器件的评估和优化 78
5.3.1 工极管的评估和优化 78
5.3.2 GGNMO蜡件评估 81
5.3.3 SCR器件的评估和优化 82
5.3.4 ESD椿件综合性能对比 85
5.4 射频电路-ESD协同设计 88
5.5 射频集成电路ESD防护案例 92
参考文献 95
第6章 高压功率集成电路ESD防护设计和实例分析 99
6.1 概述 99
6.1.l 高原ESD的防护目标 100
6.1.2 高压ESD防护方案 101
6.2 高压BCD工艺ESD自防护设计 102
6.2.1 高压nLDMOS的自防护设计 103
6.2.2 高压nLDMOS 的ESD防护特性 104
6.2.3 体扩展技术和版图布置 106
6.2.4 体扩展技术的ESD特性 107
6.3 高压BCD工艺ESD外防护设计 109
6.3.1 nLDMOS防护设计 109
6.3.2 LDMOS-SCR防护器件 112
6.3.3 nLDMOS-SCR的ESD防护特性 113
6.3.4 高维持电压技术 118
参考文献 122
第7章 CDM及HMM的防护方法和实例分析 125
7.1 CDM的防护方法 125
7.1.1 用于评估CDM的VFTLP方法 126
7.1.2 用于评估CDM的VFTLP_VT方法 127
7.2 CDM的ESD防护实例分析 128
7.3 HMM的ESD防护方法 135
7.4 HMM的ESD防护实例分析 135
参考文献 140
第8章 ESD防妒器件设计的TCAD工具及其仿真流程 142
8.1 工艺和器件TCAD仿真软件的发展历程 142
8.2 工艺和器件仿真的基本流程 143
8.3 TSUPREM-4/MEDICI的仿真示例 146
8.3.1 半导体工艺仿真流程 146
8.3.2 从工艺仿真向器件仿真的过渡流程 149
8.3.3 半导体器件仿真流程 151
8.4 ESD防护器件设计要求及其TCAD辅助设计方法 155
8.5 利用瞬态仿真对ESD防护器件综合性能的评估 157
8.5.1 TClAD评估基本设置 158
8.5.2 敏捷性评估 158
8.5.3 鲁棒位评估 159
8.5.4 有效性评估 161
8.5.5 透明性评估 10
8.5.6 ESD总体评估 163
参考文献 164
第9章 ESD防妒器件仿真中的关键问题 166
9.1 ESD仿真中的物理模型选择 166
9.2 热边界条件的设定 170
9.3 ESD器件仿真中收敛性问题解决方案 172
9.4 模型参数对关键性能参数仿真结果的影响 177
9.5 二次击穿电流的仿真 181
9.5.1 现有方法的局限性 181
9.5.2 单脉冲TLP波形瞬态仿真方法介绍 182
9.5.3 多脉冲TLP波形仿真介绍 183
参考文献 187
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