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| 內容簡介： |
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本书系统介绍半导体光电子器件设计中的物理模型和数值分析方法。全书共12章，主要分为三部分。*部分为第2~5章，涵盖光电子器件中描述各相关物理过程的主导方程的推导和解释：第二部分为第6~9章，介绍*部分所涉及的主导方程的数值求解技术，并讲解将其整合应用于器件仿真中的方法：第三部分为第10~12章，提供基于前述建模和求解技术的光电子器件设计与仿真实例，包括半导体激光器、电吸收调制器、半导体光放大器、超辐射发光二极管等，以及这些器件的单片集成。
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| 目錄：
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译者序
前言
第1章 绪论
1．1 器件的物理基础
1．2 建模和仿真方法
1．3 建模研究对象
1．4 器件建模技术
1．5 本书主要内容
第2章 光学模型
2．1 有源介质中的波动方程
2．1．1 麦克斯韦方程组
2．1．2 波动方程
2．2 时域内约化的波动方程
2．3 空域内约化的波动方程
2．4 时域与空域内同时约化的波动方程——行波光场模型
2．4．1 完全限制结构中的波动方程
2．4．2 部分限制结构中的波动方程
2．4．3 周期性波纹结构中的波动方程
2．5 宽带行波光场模型
2．5．1 直接卷积模型
2．5．2 等效布洛赫方程模型
2．5．3 波段分割模型
2．6 时空分离的驻波光场模型
2．7 光子速率方程和相位方程——光场行为模型
2．8 自发辐射噪声的处理
参考文献
第3章 材料模型I：半导体能带结构
3．1 体材料半导体中的单电子能带
3．1．1 薛定谔方程和哈密顿算符
3．1．2 布洛赫定理和能带结构
3．1．3 K=0处的解——Kane模型
3．1．4 K≠O处的解——Luttinger-Kohn模型
3．1．5 4×4哈密顿算符和轴向近似下的解
3．1．6 不同半导体材料的哈密顿算符
3．2 半导体量子阱结构中的单电子能带
3．2．1 有效质量理论和约束方程
3．2．2 导带（无简并）
3．2．3 价带（有简并）
3．2．4 量子阱能带结构
3．3 应变层结构中的单电子能带
3．3．1 一般性方法
3．3．2 应变体材料半导体
3．3．3 应变量子阱结构
3．3．4 闪锌矿结构的半导体
3．4 k-p理论总结
参考文献
第4章 材料模型Ⅱ：光学增益
4．1 考虑多体效应的综合模型
4．1．1 引言
4．1．2 海森堡方程
4．1．3 综合模型
4．1．4 一般性约束方程
4．2 自由载流子模型——零阶解
4．2．1 自由载流子模型
4．2．2 载流子速率方程
4．2．3 极化激元的速率方程
4．2．4 极化率
4．3 屏蔽的库仑相互作用模型——一阶解
4．3．1 屏蔽的库仑相互作用模型
4．3．2 屏蔽的库仑势
4．3．3 零注入和激子吸收情形下的解
4．3．4 任意注入情形下的解
4．4 多体相关模型——二阶解
4．4．1 多体相关模型
4．4．2 半解析解
4．4．3 全数值解
参考文献
第5章 载流子输运和热扩散模型
5．1 载流子输运模型
5．1．1 泊松方程和载流子连续性方程
5．1．2 非有源区的漂移和扩散模型
5．1．3 有源区的载流子输运模型
5．1．4 载流子输运模型的简化
5．1．5 自由载流子输运模型
5．1．6 复合速率
5．2 载流子速率方程模型
5．3 热扩散模型
5．3．1 经典热扩散模型
5．3．2 一维热扩散模型
参考文献
第6章光学方程的求解方法
6．1 横截面上的光场模式
6．2 行波方程
6．2．1 有限差分法
6．2．2 分步交替法
6．2．3 由数字滤波器实现的时域卷积
6．3 驻波方程
参考文献
第7章材料增益方程的求解方法
7．1 单电子能带结构
7．2 材料增益计算
7．2．1 自由载流子增益模型
7．2．2 屏蔽的库仑相互作用增益模型
7．2．3 多体增益模型
7．3 材料模型的参量化
参考文献
第8章载流子输运和热扩散方程的求解方法
8．1 静态载流子输运方程
8．1．1 尺度换算
8．1．2 边界条件
8．1．3 初始解
8．1．4 有限差分离散化
8．1．5 非线性代数方程的求解
8．2 瞬时载流子输运方程
8．3 载流子速率方程
8．4 热扩散方程
参考文献
第9章器件性能的数值分析
9．1 一般方法
9．1．1 材料增益的处理
9．1．2 准三维处理
9．2 器件性能分析
9．2．1 稳态分析
9．2．2 小信号动态分析
9．2．3 大信号动态分析
9．3 模型的标定和验证
参考文献
第10章半导体激光器的设计和模拟实例
lO．1 增益优化的有源区结构设计和模拟
10．1．1 有源区材料
10．1．2 有源区结构
10．2 光场和载流子限制优化的横截面结构设计和模拟
10．2．1 横截面叠层设计的一般考虑
10．2．2 脊波导结构
10．2．3 掩埋异质结结构
10．2．4 脊波导与掩埋异质结结构的比较
10．3 激射振荡优化的腔结构设计和模拟
10．3．1 Fabry-Perot激光器
10．3．2 通过光栅设计实现不同耦合机制的分布反馈激光器
10．3．3 多段结构激光器的设计
参考文献
第11章其他单一光电器件的设计和模拟实例
11．1 电吸收调制器
11．1．1 器件结构
11．1．2 材料特性和器件性能模拟
11．1．3 高消光比和低插入损耗的设计
l1．1．4 偏振无关吸收的设计
11．2 半导体光放大器
11．2．1 器件结构
11．2．2 性能模拟
11．2．3 提高性能的设计
ll．3 超辐射发光二极管
11．3．1 器件结构
11．3．2 性能模拟
11．3．3 提高性能的设计
参考文献
第12章集成光电器件的设计与模拟实例
12．1 集成半导体分布反馈激光器与电吸收调制器
12．1．1 器件结构
12．1．2 集成界面
12．1．3 分布反馈激光器性能模拟
12．1．4 电吸收调制器性能模拟
12．2 集成半导体分布反馈激光器与监测光探测器
12．2．1 器件结构
12．2．2 激光器性能模拟
12．2．3 信道间串扰的模拟
参考文献
附录A Lowdin重整化理论
附录B 多体增益模型中的积分
附录C 5阶Runge-Kutta方法的Cash-Karp实现
附录D 稀疏线性方程的解法
D．1 直接法
D．2 迭代法
参考文献
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| 內容試閱：
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过去三十年来，世界目睹了基于III-V族化合物半导体材料的光电器件的迅猛发展。以往的努力主要集中于通信网络及光盘读写等应用所涉及的光电器件的理论设计与技术开发。随着它们近年来在照明、显示、光纤传感、光纤陀螺和光断层扫描等新应用领域内的拓展，光电器件特别是光源器件的研究在一系列新材料（如III族氮化物合金与II-VI族化合物）和新结构（如量子线、量子点和各种纳米构造）的成功实验的促进下得到了加速发展。
随着工艺技术的逐渐成熟和标准化，器件制作过程中的不确定因素不断减少，设计与模拟便成为了新器件开发及已有器件性能提高的关键。而近年来数值技术及硬件系统的进步也为计算机辅助设计与模拟提供了一个强有力的平台。迄今为止，光电器件的发展似乎重复了电子器件的历史：由分立到集成，由以工艺为重到以设计为重，由反复人工试验到计算机辅助模拟与优化。本书试图在理论框架与现实世界之间搭建一座桥梁，其具体目的在于：根据在电磁场理论、量子力学和半导体物理等方面所获得的基础知识，通过先进的数值计算技术解决光电器件的设计与模拟问题。先进的光电器件由化合物半导体材料制成，既具有复杂的空间结构，又要在变化的条件下工作。因此，对于完整描述器件中密切耦合的各个物理过程的精确模型，很难找到一种简单直观的解析解。尽管基于唯象模型的方程相对容易求解，这样的模型却往往依赖于忽略了某些重要物理效应的各种假设，从而无法使理论预计与实际测试结果相吻合。
因此，利用数值计算技术直接求解源于物理模型的方程是一种可行途径，它不仅可以使理论与实验结果取得定性的一致，更可能使其取得定量的一致。本书因而可以为那些试图将其所掌握的物理知识与现实器件及创新结构的设计和模拟技术联系在一起的读者提供一个参考。
本书集中讨论了出现在众多应用中的基于化合物半导体材料的光电器件，如激光二极管（LD）、电吸收调制器（EAM）、半导体光放大器（SOA）和超辐射发光二极管（SLED）。数值计算方法在本书中将贯穿于器件的整个分析过程。基于第一性物理定律，本书将首先导出描述器件中光传播、材料增益、载流子注入和热传导等物理过程及其相互间作用的主体方程。而后再详细讨论寻求这些方程解的各种数值技术。在对数值解的一定认知基础上，本书还将讨论针对器件的优化设计。
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