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內容簡介： 本书系统地介绍了物理气相输运（PVT）法碳化硅晶体生长与缺陷研究方面的工作，由碳化硅晶体的多型结构与表征、碳化硅晶体的PVT法生长、气相组分SimCn和碳化硅晶体的生长机制、碳化硅晶体的结晶缺陷四部分组成。本书从碳化硅晶体结构出发，把气相组分作为贯穿生长原料分解升华、系统中的质量能量输运、生长界面的结晶过程、晶体中缺陷的繁衍与发育等的一条主线，从而使读者对PVT法碳化硅晶体生长的复杂系统和过程有一个全面的、深入的认识和理解。 本书可供从事无机晶体生长研究的科技人员参考，亦可供从事相关领域研究的科技人员和在学研究生阅读。 目錄： 前言 1 碳化硅晶体的多型结构与表征 1.1 晶体的多型 1.2 碳化硅晶体的结构层与基本结构单元 1.3 碳化硅晶体多型的共生与连生 1.4 3C-SiC多型的结构 1.5 2H-SiC多型的结构 1.6 4H-SiC多型的结构 1.7 6H-SiC多型的结构 1.8 15R-SiC多型的结构 1.9 碳化硅晶体多型结构参数的变化 1.10 碳化硅晶体多型结构鉴别概述 1.11 X射线衍射法鉴别碳化硅晶体多型结构 1.12 高分辨率透射电子显微镜法鉴别碳化硅晶体多型结构 1.13 吸收光谱法鉴别碳化硅晶体多型结构 1.14 拉曼光谱法鉴别碳化硅晶体多型结构 符号说明和注解 2 碳化硅晶体的物理气相输运PVT法生长 2.1 硅-碳二元体系和硅-碳-金属元素三元体系的相图 2.2 固态碳化硅分解升华的热力学研究 2.3 PVT法碳化硅晶体生长技术的发展历程 2.4 PVT法碳化硅晶体生长系统概述 2.5 PVT法碳化硅晶体生长模型研究 2.6 PVT法碳化硅晶体生长系统的可控变量与间接变量 2.7 PVT法碳化硅晶体生长系统变量之间的强耦合 2.8 生长原料区温度场和碳化硅粉体的演变 2.9 石墨坩埚生长腔内温度场的演变 符号说明和注解 3 气相组分和碳化硅晶体的生长机制 3.1 气相组分概述 3.2 PVT法碳化硅晶体生长的螺旋位错机制 3.3 气相组分在PVT法碳化硅晶体生长研究中的地位 3.4 纯硅气相组分Si_m的稳定构型与能量 3.5 纯碳气相组分C_n的稳定构型与能量 3.6 硅碳气相组分Si_mC_n的稳定构型与能量 3.7 气相组分Si_mC_n构型的转变 3.8 气相组分Si_mC_n的化学序 3.9 气相组分Si_mC_n的相互作用 3.10 气相组分Si_mC_n在生长界面上的结晶 符号说明和注解 4 碳化硅晶体的结晶缺陷 4.1 碳化硅晶体结晶缺陷概述 4.2 碳化硅晶片结晶质量的整体评价 4.3 碳化硅晶片几何特性和表面加工质量的整体评价 4.4 多型共生缺陷 4.5 镶嵌结构缺陷 4.6 堆垛层错 4.7 孔道与微管道 符号说明和注解 后记

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