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| 內容簡介： |
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在構裝技術尚未完全進入3DTSV量產之前，FOWLP為目前最具發展潛力的新興技術。此技術起源於英飛凌Infineon在2001年所提出之嵌入式晶片扇出專利，後續於2006年發表技術文件後，環氧樹脂化合物EMC之嵌入式晶片，也稱作扇出型晶圓級構裝FOWLP，先後被應用於各種元件上，例如：基頻Baseband、射頻RF收發器和電源管理ICPMIC等。其中著名公司包括英飛凌、英特爾Intel、Marvell、展訊Spreadtrum、三星Samsung、LG、華為Huawei、摩托羅拉Motorola和諾基亞Nokia等，許多半導體外包構裝測試服務OSATS和代工廠Foundry，亦開發自己的嵌入式FOWLP，預測在未來幾年，FOWLP市場將有爆炸性之成長。有鑑於此，第三版特別新增第13章扇出型晶圓級Fan-outWLP構裝之基本製程與發展概況、第14章嵌入式扇出型晶圓級或面板級構裝EmbeddedFan-outWLPPLP技術，以及第15章3D-IC導線連接技術之發展狀況。
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| 關於作者： |
許明哲
現職：
弘塑科技公司研發專案計劃主持人
學歷：
國立成功大學材料科學及工程研究所畢業
經歷：
工業技術研究院材料所
材料機械性能及腐蝕防治實驗室副研究員
中德電子材枓公司美商MEMC台灣分公司
矽晶圓長晶區生產部及品保部主任
美商科磊公司KLA&Tencor台灣分公司
半導體製程應用工程師
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| 目錄：
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推薦序
序文
致謝
第一章微電子構裝技術概論1
1.前言
2.電子構裝之基本步驟
3.電子構裝之層級區分
4.晶片構裝技術之演進
5.參考資料
第二章覆晶構裝技術（FlipChipPackageTechnology）
1.前言
2.覆晶構裝技術（FlipChipTechnology）介紹
3.其他各種覆晶構裝技術
4.結論
5.參考資料
第三章覆晶構裝之UBM結構及蝕刻技術
1.前言
2.UBM結構
3.UBM濕式蝕刻製程及設備
4.各種UBM金屬層之蝕刻方法及注意事項
5.結論
6.參考資料
第四章微電子系統整合技術之演進
1.前言
2.系統整合技術之演進
3.電子數位整合之五大系統技術
4.結論
5.參考文獻
第五章3D-IC技術之發展趨勢
1.前言
2.構裝技術之演進
3.TSV製作3D晶片堆疊的關鍵技術
4.結論
5.參考文獻
第六章TSV製程技術整合分析
1.前言
2.導孔的形成（ViaFormation）
3.導孔的填充（ViaFilling）
4.晶圓接合（WaferBonding）
5.晶圓薄化（WaferThinning）
6.發展3D系統整合之各種TSV技術
7.結論
8.參考文獻
第七章3D-IC製程之晶圓銅接合應用
1.前言
2.晶圓銅接合方式
3.銅接合的基本性質（FundamentalPropertiesofCuBonding）
4.銅接合的發展（CuBondDevelopment）
5.結論
6.參考資料
第八章TSV銅電鍍製程與設備之技術整合分析（TSVCopperElectroplatingProcessandTool）
1.前言（Introduction）
2.TSV銅電鍍設備（TSVCopperElectroplatingEquipment）
3.TSV銅電鍍製程（TSVCopperElectroplatingProcess）
4.影響TSV導孔電鍍銅填充之因素（FactorsAffectingCopperPlating）
5.電鍍液之化學成份
6.TSV電鍍銅製程之需求
7.結論
8.參考文獻
第九章無電鍍鎳金在先進構裝技術上之發展
1.前言
2.無電鍍鎳金之應用介紹
3.無電鍍鎳金製程問題探討
4.無電鍍鎳製程
5.無電鍍（化學鍍）金
6.結論
7.參考資料
第十章環保性無電鍍金技術於電子產業上之發展
1.前言
2.非氰化物鍍液（Non-CyanideBath）的發展狀況
3.結論
4.參考文獻
第十一章無電鍍鈀（ElectrolessPlatingPalladium）技術
1.聯氨鍍液（Hydrazine-BasedBaths）
2.次磷酸鹽鍍液（HypophosphiteBasedBaths）
3.使用其他還原劑之鍍液
4.無電鍍鈀合金
5.結論
6.參考文獻
第十二章3DIC晶圓接合技術（Overviewof3DICWaferBondingTechnology）
1.前言
2.晶圓對位製程（WaferAlignmentProcess）
3.晶圓接合製程（WaferBondingProcess）
4.結論
5.參考文獻
第十三章扇出型晶圓級（Fan-outWLP）構裝之基本製程與發展方向
1.前言
2.Fan-outWLP基本製造流程
3.Fan-outWLP之RCP與eWLP技術
4.Fan-outWLP所面臨的挑戰
5.完全鑄模（FullyMolded）Fan-outWLP技術
6.Fan-outWLP的未來發展方向
7.結論
8.參考資料
第十四章嵌入式散出型晶圓級或面版級構裝技術（EmbeddedFan-outWaferPanelLevelPackaging）1.嵌入式晶片（EmbeddedChips）
2.FOWLP的形成（FormationofFOWLP）
3.RDL製作方法（RDLProcess）
4.圓形或方形重新配置之載具的選擇
5.介電材料
6.膠體材料
7.結論
8.參考資料
第十五章3D-IC導線連接技術之發展狀況
1.前言
2.晶片對晶片（C2C）與晶片對晶圓（C2W）堆疊技術
3.晶圓對晶圓（W2W）堆疊技術
4.結論
5.參考資料
索引
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