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內容簡介: |
半导体材料是指介于金属和绝缘体之间的电导率为10-3Ω·cm~108Ω·cm的一种具有极大影响力的功能材料,广泛应用于制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件等领域,支撑着通信、计算机、信息家电、网络技术、国防军工以及近年来兴起的光伏、LED等行业的发展。半导体材料及其应用已成为现代社会各个领域的核心和基础。
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目錄:
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一、基础标准
GBT 8756-1988 锗晶体缺陷图谱
GBT 13389-1992 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
GBT 14264-2009 半导体材料术语
GBT 14844-1993 半导体材料牌号表示方法
GBT 16595-1996 晶片通用网格规范
GBT 16596-1996 确定晶片坐标系规范
GBT 30453-2013 硅材料原生缺陷图谱
YST 28-1992 硅片包装
二、产品标准
GBT 5238-2009 锗单晶和锗单晶片
GBT 10117-2009 高纯锑
GBT 10118-2009 高纯镓
GBT 11069-2006 高纯二氧化锗
GBT 11070-2006 还原锗锭
GBT 11071-2006 区熔锗锭
GBT 11072-2009 锑化铟多晶、单晶及切割片
GBT 11093-2007 液封直拉法砷化镓单晶及切割片
GBT 11094-2007 水平法砷化镓单晶及切割片
GBT 12962-2005 硅单晶
GBT 12963-2009 硅多晶
GBT 12964-2003 硅单晶抛光片
GBT 12965-2005 硅单晶切割片和研磨片
GBT 14139-2009 硅外延片
GBT 20228-2006 砷化镓单晶
GBT 20229-2006 磷化镓单晶
GBT 20230-2006 磷化铟单晶
GBT 25074-2010 太阳能级多晶硅
GBT 25075-2010 太阳能电池用砷化镓单晶
GBT 25076-2010 太阳电池用硅单晶
GBT 26065-2010 硅单晶抛光试验片规范
GBT 26069-2010 硅退火片规范
GBT 26071-2010 太阳能电池用硅单晶切割片
GBT 26072-2010 太阳能电池用锗单晶
GBT 29054-2012 太阳能级铸造多晶硅块
GBT 29055-2012 太阳电池用多晶硅片
GBT 29504-2013 300mm硅单晶
GBT 29506-2013 300mm硅单晶抛光片
GBT 29508-2013 300mm硅单晶切割片和磨削片
GBT 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片
GBT 30855-2014 LED外延芯片用磷化镓衬底
GBT 30856-2014 LED外延芯片用砷化镓衬底
GBT 30858-2014 蓝宝石单晶衬底抛光片
GBT 30861-2014 太阳能电池用锗衬底片
YST 13-2007 高纯四氯化锗
YST 43-2011 高纯砷
YS 68-2004 砷
YST 99-1997 三氧化二砷
YST 222-2010 碲锭
YST 223-2007 硒
YST 257-2009 铟锭
YST 264-2012 高纯铟
YST 265-2012 高纯铅
YST 300-2008 锗精矿
YST 651-2007 二氧化硒
YST 724-2009 硅粉
YST 792-2012 单晶炉用碳/碳复合材料坩埚
YST 816-2012 高纯硒
YST 817-2012 高纯碲
YST 838-2012 碲化镉
YST 916-2013 高纯镉
三、管理标准
GBT 23522-2009 再生锗原料
GBT 23523-2009 再生锗原料中锗的测定方法
GB 29413-2012 锗单位产品能源消耗限额
GB 29447-2012 多晶硅企业单位产品能源消耗限额
YS 783-2012 红外锗单晶单位产品能源消耗限额
YST 840-2012 再生硅料分类和技术条件
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