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內容簡介： 三维集成技术将多层集成电路芯片堆叠键合，通过穿透衬底的三维互连实现多层之间的电信号连接。三维集成技术可以降低芯片功耗，减小互连延时，提高数据传输带宽，并为实现复杂功能的SoC提供了可能。作为与工艺节点无关的新技术，三维集成具有极为广泛的应用，近年来受到了微电子领域的高度重视。本书较为全面地介绍了三维集成技术的重点和前沿领域，包括三维集成制造技术、集成方法、集成策略、热力学理论、可靠性问题、测试技术等，并介绍了多种应用及一些新技术的发展趋势。 本书可供高等院校微电子、电子、封装、微机电系统、力学、机械工程、材料等专业的高年级本科生、研究生和教师使用，也可供相关领域的工程技术人员参考。 目錄： 第1章 三维集成电路概述 1.1 集成电路发展的瓶颈 1.1.1 互连延迟与数据传输带宽 1.1.2 功耗 1.1.3 异质芯片的SoC集成 1.2 三维集成电路 1.2.1 三维集成的优点 1.2.2 三维集成的分类 1.2.3 三维集成制造技术概述 1.2.4 三维集成的应用 1.3 三维集成的历史、现状及发展前景 1.3.1 三维集成的历史 1.3.2 三维集成的现状 1.3.3 发展前景和趋势 1.4 三维集成面临的挑战 1.4.1 制造技术 1.4.2 散热与热管理 1.4.3 可靠性 1.4.4 成品率及成本 1.4.5 模型、模拟、设计方法和设计规则 1.4.6 测量测试 参考文献 第2章 三维互连制造技术 2.1 三维互连制造概述 2.1.1 TSV深孔刻蚀 2.1.2 深孔侧壁绝缘和扩散阻挡层 2.1.3 TSV深孔导电填充 2.1.4 圆片减薄 2.1.5 圆片键合 2.2 高深宽比深孔刻蚀 2.2.1 等离子体刻蚀 2.2.2 时分复用法 2.2.3 低温刻蚀法 2.2.4 磁中性环路放电刻蚀 2.2.5 TSV深孔刻蚀 2.2.6 激光刻蚀加工 2.3 介质层材料与工艺 2.3.1 介质层沉积 2.3.2 介质层材料 2.3.3 低介电常数介质层 2.4 粘附层扩散阻挡层种子层材料与工艺 2.4.1 扩散阻挡层和种子层的制造方法 2.4.2 扩散阻挡层 2.4.3 种子层 2.5 导电填充与电镀 2.5.1 铜电镀原理 2.5.2 TSV盲孔电镀 2.5.3 TSV通孔电镀 2.5.4 电镀的理论模型与模拟 2.5.5 其他导体材料 参考文献 第3章 键合集成技术 3.1 键合技术概述 3.1.1 键合基本原理 3.1.2 键合方法 3.1.3 键合对象 3.1.4 键合强度测量 3.2 键合对准方法 3.2.1 红外对准 3.2.2 光学对准 3.2.3 倒装芯片 3.2.4 芯片自组装对准 3.2.5 模板对准 3.3 金属键合 3.3.1 微凸点技术 3.3.2 铜热压键合 3.3.3 金属共晶键合 3.4 二氧化硅融合键合 3.4.1 键合原理 …… 第4章 三维集成策略 第5章 三维集成的电学和热力学特性 第6章 三维集成的可靠性 第7章 三维集成检测与测试 第8章 三维集成新技术 第9章 三维集成的应用

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