《半导体物理性能手册第3卷（下）》 - 台灣·大書城 - [日]足立贞夫主编 - 哈尔滨工业大学出版社

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『簡體書』半导体物理性能手册第3卷（下）

書城自編碼： 2400788
分類：簡體書→大陸圖書→工業技術→電子/通信
作者： [日]足立贞夫主编
國際書號(ISBN)： 9787560345192
出版社：哈尔滨工业大学出版社
出版日期： 2014-04-01

頁數/字數： 217/
書度/開本： 16开

售價：NT$ 1242

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內容簡介：

《半导体物理性能手册》介绍了各族半导体、化合物半导体的物理性能，包括：StructuralProperties结构特性ThermalProperties热学性质ElasticProperties弹性性质PhononsandLatticeVibronicProperties声子与晶格振动性质CollectiveEffectsandRelatedProperties集体效应及相关性质Energy-BandStructure：Energy-BandGaps能带结构：能带隙Energy-BandStructure：ElectronandHoleEffectiveMasses能带结构：电子和空穴的有效质量ElectronicDeformationPotential电子形变势ElectronAffinityandSchottkyBarrierHeight电子亲和能与肖特基势垒高度OpticalProperties光学性质Elastooptic，Electrooptic，andNonlinearOpticalProperties弹光、电光和非线性光学性质CartierTransportProperties载流子输运性质适用对象包括材料、微电子学、电子科学与技术等专业的本科生和研究生，以及从事半导体研究的专业人员。

Preface
Acknowledgements
Contents of Other Volumes
10 Cubic Cadmium Sulphide c-CdS
11 Wurtzite Cadmium Sulphide w-CdS
12 Cubic Cadmium Selenide c-CdSe
13 Wurtzite Cadmium Selenide w-CdSe
14 Cadmium Telluride CdTe
15 Cubic Mercury Sulphide β-HgS
16 Mercury Selenide HgSe
17 Mercury Telluride HgTe

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