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『簡體書』多层纳米结构中的输运——动力学平均场方法(影印版)

書城自編碼: 2236253
分類: 簡體書→大陸圖書→工業技術原版书
作者: [美] 弗雷里克斯[J.K.Freericks] 著
國際書號(ISBN): 9787301216620
出版社: 北京大学出版社
出版日期: 2012-12-01
版次: 1 印次: 1
頁數/字數: 327/
書度/開本: 大16开 釘裝: 平装

售價:NT$ 827

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編輯推薦:
本书是影印英文版物理学专著,原书由世界科技出版社于2006年出版。多层纳米结构中的输运将会是未来极为重要的纳米技术应用,而动力学平均场论正是研究这一过程的手段。本书作者正是这一领域的主要研究者之一,又有丰富的授课经验。因而本书对这一课题作了深入探讨,同时讲解清晰、易于理解。还有,本书为彩色印刷,印制精美,是外观与内容并重的佳作。
內容簡介:
本书从介绍器件、强关联电子系统、多层纳米结构入手,讨论了在多层纳米结构中的输运现象,而其贯穿始终的方法是动力学平均场论。具体内容包括利用动力学平均场论来计算电子格林函数、线性响应输运,约瑟夫森结、热电器件等中的输运现象等,最后还讨论了非平衡和非线性响应。本书可以作为相关领域研究生的教材,也可作为科研工作者的参考书。
目錄
Preface
Acknowledgments
1.IntroductiontoMultilayeredNanostructures
1.1ThinFilmGrowthandMultilayeredNanostructures
1.2StronglyCorrelatedMaterials
1.3TheProximityEffect
1.4ElectronicChargeReconstructionatanInterface
1.5RoadmaptoReal-MaterialsCalculations
2.DynamicalMean-FieldTheoryintheBulk
2.1ModelsofStronglyCorrelatedElectrons
2.2SecondQuantization
2.3ImaginaryTimeGreen''sFunctions
2.4RealTimeGreen''sFunctions
2.5TheLimitdooandtheMappingontoaTime-DependentImpurityProblem
2.6ImpurityProblemSolvers
2.7ComputationalAlgorithms
2.8Linear-Responsedc-TransportintheBulk
2.9Metal-InsulatorTransitionswithinDMFT
2.10BulkChargeandThermalTransport
3.DynamicalMean-FieldTheoryofaMultilayeredNanostructure
3.1Potthoff-NoltingApproachtoMultilayeredNanostructures
3.2QuantumZipperAlgorithm(RenormalizedPerturbationExpansion)
3.3ComputationalMethods.
3.4DensityofStatesforaNanostructure
3.5LongitudinalChargeTransportThroughaNanostructure
3.6ChargeReconstruction(SchottkyBarriers)
3.7LongitudinalHeatTransportThroughaNanostructure
3.8SuperconductingLeadsandJosephsonJunctions
3.9FiniteDimensionsandVertexCorrections
4.ThoulessEnergyandNormal-StateTransport
4.1HeuristicDerivationoftheGeneralizedThoulessEnergy
4.2ThoulessEnergyinMetals
4.3ThoulessEnergyinInsulators
4.4CrossoverfromTunnelingtoIncoherentTransportinDevices
5.JosephsonJunctionsandSuperconductingTransport
5.1IntroductiontoSuperconductingElectrorucsDevices
5.2SuperconductingProximityEffect
5.3JosephsonCurrent
5.4Figure-of-MeritforaJosephsonJunction
5.5EffectsofTemperature
5.6DensityofStatesandAndreevBoundStates
6.ThermalTransport
6.1ElectronicChargeReconstructionNearaMetal-InsulatorTransition
6.2ThermalTransportThroughaBarrierNeartheMetal-InsulatorTransition
7.FutureDirections
7.1SpintronicsDevices
7.2MultibandModelsforRealMaterials
7.3NonequilibriumProperties
7.4Summary
AppendixAProblems
Bibliography
Index

 

 

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