登入帳戶　 |　訂單查詢　 |　購物車/收銀台(0)　|　在線留言板　 |　付款方式　 |　聯絡我們　 |　運費計算　 |　幫助中心　|　 加入書簽
	全部範圍 - 圖書 - 　- 中文簡體書(大陸書) - 　- 英文書（原版） - - 音碟 - 　- 音樂 - 　- 影視 - - 雜誌 - 全文 精確	會員登入   新用戶註冊

HOME新書上架暢銷書架好書推介特價區會員書架精選月讀2023年度TOP分類閱讀雜誌

香港／國際用戶

最新/最熱/最齊全的簡體書網

品種：超過100萬種書，正品正价，放心網購，悭钱省心

送貨：速遞 / 物流，時效：出貨後2-4日

新書推薦： 《 元好问与他的时代（中华学术译丛） 》 售價：NT$ 398.0 《 汽车传感器结构·原理·检测·维修 》 售價：NT$ 500.0 《 怪谈百物语：不能开的门（“日本文学史上的奇迹”宫部美雪重要代表作！日本妖怪物语集大成之作，系列累销突破200万册！） 》 售價：NT$ 296.0 《 罗马政治观念中的自由 》 售價：NT$ 230.0 《 中国王朝内争实录：宠位厮杀 》 售價：NT$ 281.0 《 凡事发生皆有利于我（这是一本读了之后会让人运气变好的书”治愈无数读者的心理自助经典） 》 售價：NT$ 203.0 《 未来特工局 》 售價：NT$ 254.0 《 高术莫用（十周年纪念版 逝去的武林续篇 薛颠传世之作 武学尊师李仲轩家世 凸显京津地区一支世家的百年沉浮） 》 售價：NT$ 250.0

內容簡介： 本书是为大学本科与半导体相关的专业编写的教材。《21世纪高等院校教材：半导体材料（第2版）》介绍主要半导体材料硅、砷化镓等制备的基本原理，工艺和特性的控制等。全书分11章：第1章为硅和锗的化学制备；第2章为区熔提纯；第3章为晶体生长；第4章为硅、锗晶体中的杂质和缺陷；第5章为硅外延生长；第6章为Ⅲ-V族化合物半导体；第7章为Ⅲ-V族化合物半导体的外延生长；第8章为Ⅲ-V族多元化合物半导体；第9章为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体；第10章为氧化物半导体材料；第11章为其他半导体材料。 本书也可以作为从事与半导体相关研究工作的科研人员和相关专业研究生的参考书。 目錄： 再版前言 前言 绪论 第1章 硅和锗的化学制备 1-1 硅和锗的物理化学性质 1-2 高纯硅的制备 1-3 锗的富集与提纯 第2章 区熔提纯 2-1 分凝现象与分凝系数 2-2 区熔原理 2-3 锗的区熔提纯 第3章 晶体生长 3-1 晶体生长理论基础 3-2 熔体的晶体生长 3-3 硅、锗单晶生长 第4章 硅、锗晶体中的杂质和缺陷 4-1 硅、锗晶体中杂质的性质 4-2 硅、锗晶体的掺杂 4-3 硅、锗单晶的位错 4-4 硅单晶中的微缺陷 第5章 硅外延生长 5-1 外延生长概述 5-2 硅的气相外延生长 5-3 硅外延层电阻率的控制 5-4 硅外延层的缺陷 5-5 硅的异质外延 第6章 ⅢV族化合物半导体 6-1 Ⅲ-V族化合物半导体的特性 6-2 砷化镓单晶的生长方法 6-3 砷化镓单晶中杂质的控制 6-4 砷化镓单晶的完整性 6-5 其他Ⅲ-V族化合物的制备 第7章 ⅢV族化合物半导体的外延生长 7-1 气相外延生长（ⅥE） 7-2 金属有机物气相外延生长（MoVPE） 7-3 液相外延生长（L1E） 7-4 分子束外延生长（MBE） 7-5 化学束外延生长（C11E） 7-6 其他外延生长技术 第8章 ⅢV族多元化合物半导体 8-1 异质结与品格失配 8-2 GaAIAs外延生长 8-3 InGaN外延生长 8-4 InGaAsP外延生长 8-5 超晶格与量子阱 8-6 应变超晶格 8-7 能带工程 第9章 ⅡⅥ族化合物半导体 9-1 ⅡⅥ族化合物单晶材料的制备 9-2 ⅡⅥ族化合物的点缺陷与自补偿现象 9-3 ⅡⅥ族多元化合物材料 9-4 ⅡⅥ族超晶格材料 第10章 氧化物半导体材料 10-1 氧化物半导体材料的制备 10-2 氧化物半导体材料的电学性质 10-3 氧化物半导体材料的应用 第11章 其他半导体材料 11-1 窄带隙半导体 11-2 黄铜矿型半导体 11-3 纳米晶材料 11-4 非晶态半导体材料 11-5 有机半导体材料 参考文献

書城介紹　 |　合作申請　|　索要書目　 |　新手入門　|　聯絡方式　 |　幫助中心　|　找書說明　 |　送貨方式　|　付款方式	台灣用户　|　香港/海外用户
megBook.com.tw
Copyright (C) 2013 - 2024 （香港）大書城有限公司　All Rights Reserved.