《巨磁阻器件（国外大学优秀教材——微电子类系列（翻译版））》 - 台灣·大書城 - [日]广田明宏，[日]坂上弘，[日]猪俣浩一郎著，邓宁等 - 清华大学出版社

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『簡體書』巨磁阻器件（国外大学优秀教材——微电子类系列（翻译版））

書城自編碼： 2203907
分類：簡體書→大陸圖書→教材→研究生/本科/专科教材
作者： [日]广田明宏，[日]坂上弘，[日]猪俣浩一郎著，邓宁等
國際書號(ISBN)： 9787302343653
出版社：清华大学出版社
出版日期： 2014-01-01
版次： 1 印次： 1
頁數/字數： 180/203000
書度/開本： 16开釘裝：精装

售價：NT$ 531

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內容簡介：

巨磁阻器件是目前商业化最为成功的磁学器件，广泛应用于计算机硬盘的磁头中。最初发现GMR效应的科学家Albert Fert和Peter Grünberg也因此获得2007年度的诺贝尔物理学奖。
从器件发展的趋势来看，信息的载体从最初的成千上万个电子减少到几百个、几十个甚至少于十个电子，很自然地又发展到利用电子的自旋作为信息的载体。这是集成电路向着更低功耗、更高速度发展的要求决定的。随着对各种自旋效应研究的深入，自旋电子学和自旋电子器件已经成为当今研究的热点。已有很多关于巨磁阻和隧道磁阻效应的专著，对于该领域的研究者有很大的帮助，但是我注意到，从工程角度研究巨磁阻器件的著作并不多。我国在磁学器件方面的研究有很好的基础，但是迫切需要一本从工程科学角度给相关的研究者以启发的著作。当我发现Giant MagnetoResistance Devices这本书时，立刻就意识到这本书一定会对国内磁学器件研究者很大的帮助。
本书包含了巨磁阻效应、隧道磁阻效应以及基于这两种效应的器件，从材料、工艺到器件物理，可作为凝聚态物理磁学部分和器件之间的一个桥梁。本书还介绍了一些新型的自旋电子器件。
本书的三位作者都是国际著名的磁学专家，如果仔细阅读，会发现可能其中的某一句话都是建立在大量实验研究的基础上的。因此，相信磁学和自旋电子学领域的研究人员能从本书中找到感兴趣的内容。

第1章绪论
1.1磁性传感器（传感器和读取头）
1.1.1磁阻传感器
1.1.2硬盘驱动器磁头
1.2磁随机存储器（MRAM）
参考文献
第2章巨磁阻和隧道磁阻器件物理
2.1自旋钉扎
2.1．1自旋钉扎的唯象理论
2.1.2自旋钉扎的微磁理论
2.2巨磁阻效应的自由电子模型
2.2.1金属和金属薄膜的电导率
2.2.2铁磁金属的电导率（两电流模型）
2.2.3巨磁阻效应的两电流模型
2.3隧道磁阻（TMR）器件的自由电子模型
2.3.1隧穿电流的Simmons公式
2.3.2铁磁隧道结
参考文献
第3章金属多层薄膜的巨磁阻器件
3.1交换耦合金属多层薄膜
3.1.1金属多层薄膜中的层间耦合
3.1.2金属多层膜的磁阻性能
3.1.3磁阻性能对薄膜结构的依赖性
3.1.4磁阻率的热稳定性
3.2磁传感器
3.2.1静态特性
3.2.2动态特性
参考文献
第4章自旋阀器件
4.1自旋阀
4.1.1交换偏置自旋阀
4.1.2赝自旋阀
4.2巨磁阻效应的增强
4.2.1背层效应
4.2.2镜面散射效应
4.3磁头
4.3.1读取头的设计
4.3.2读取头的自旋阀
参考文献
第5章隧道型巨磁阻（TMR）器件
5.1自旋相关隧穿
5.1.1隧道磁阻
5.1.2自旋隧道结的制备
5.1.3自旋隧道结的微加工
5.1.4退火性能
5.1.5TMR的温度依赖性
5.1.6偏压对TMR的影响
5.1.7双隧道结
5.2TMR磁头
参考文献
第6章磁性随机存储器（MRAM）
6.1MRAM器件及其工作原理
6.1.1早期的MRAM器件
6.1.2基于GMR单元的MRAM器件
6.1.3基于MTJ单元的MRAM器件
6.2基于MTJ的MRAM架构
6.3MRAM的特性
6.4MTJ单元的设计
6.5MTJ单元的自旋翻转场
6.5.1单畴计算
6.5.2微磁模拟
6.5.3二维的磁化翻转
6.6MRAM制造中存在的问题
6.6.1集成电路的兼容性
6.6.2MTJ单元的一致性
6.7目前MRAM制造方面的尝试
6.8MRAM的可扩展能力：高存储密度的挑战
6.8.1电阻
6.8.2信号电压
6.8.3写入电流
6.8.4超顺磁性
参考文献
第7章其他巨磁阻器件
7.1双极自旋晶体管
7.1.1自旋注入
7.1.2自旋晶体管的工作原理
7.1.3器件的性质
7.1.4原型器件的验证
7.2自旋场效应管
7.3自旋阀晶体管
7.3.1自旋阀晶体管的原理
7.3.2器件特性
7.4自旋相关单电子隧穿器件
7.4.1结构和特性
7.4.2库仑阻塞效应的TMR增强效应
7.4.3自旋积累
参考文献

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