《一维氮化镓纳米材料的结构稳定性及其电子性质》 - 台灣·大書城 - 陈国祥 - 国防工业出版社

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『簡體書』一维氮化镓纳米材料的结构稳定性及其电子性质

書城自編碼： 2062446
分類：簡體書→大陸圖書→工業技術→電子/通信
作者：陈国祥
國際書號(ISBN)： 9787118086751
出版社：国防工业出版社
出版日期： 2013-03-01
版次： 1 印次： 1
頁數/字數： 166/232000
書度/開本：大32开釘裝：平装

售價：NT$ 335

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內容簡介：

陈国祥、王豆豆编写的这本《一维氮化镓纳米材料的结构稳定性及其电子性质》系统地研究了一维氮化镓纳米材料的几何结构、稳定性、电子和磁性等性质。全书共包括7章：第1章为绪论；第2章详细地介绍了第一性原理方法；第3至第6章采用基于密度泛函框架下的第一性原理投影缀加波方法全面系统研究了吸附、掺杂、填充的GaN纳米管以及完整和缺陷
GaN纳米带的几何结构、稳定性及其电子性质；第7章为部分主要结论。
《一维氮化镓纳米材料的结构稳定性及其电子性质》可以作为高等院校材料学和物理学及相关专业高年级本科生和研究生的参考书，也可供从事纳米科技和纳米材料教学与研究工作者的参考用书。

第1章绪论
1.1 纳米材料概述
1.2 纳米材料的分类及基本效应
1.2.1 纳米材料的分类
1.2.2 纳米材料的基本效应
1.3 纳米材料的制备方法
1.4 纳米材料的应用
1.5 纳米材料的发展趋势
1.6 碳纳米管
1.6.1 碳纳米管的发现与研究现状
1.6.2 碳纳米管的结构及分类
1.6.3 碳纳米管的性质和应用
1.6.4 碳纳米管的制备
1.7 石墨烯及其纳米带
1.7.1 石墨烯
1.7.2 石墨烯纳米带
1.8 GaN纳米材料
1.8.1 GaN材料简介
1.8.2 GaN纳米管
1.8.3 GaN纳米线
1.8.4 GaN纳米带
参考文献
第2章理论计算基础
2.1 第一性原理理论基础
2.1.1 引言
2.1.2 多粒子系统的薛定谔方程
2.1.3 非相对论近似
2.1.4 Born-Oppenheimer绝热近似
2.1.5 Hartree-Fock近似
2.2 密度泛函理论
2.2.1 thomas-Fermi模型
2.2.2 Hohenberg-Kohn定理
2.2.3 Kohn-Sham方程
2.3 交换关联泛函的简化
2.3.1 局域密度近似
2.3.2 广义梯度近似
2.3.3 轨道泛函与杂化泛函
2.4 密度泛函理论的数值计算方法
2.4.1 赝势平面波方法
2.4.2 投影缀加波方法
2.4.3 结构优化
2.4.4 第一性原理计算的一般流程
2.5 第一性原理计算的软件实现
参考文献
第3章过渡金属在GaN纳米管外壁及其氢吸附性质
3.1 引言
3.2 单壁GaN纳米管的结构特征
3.3 理论方法和模型
3.3.1 计算方法
3.3.2 建立模型
3.4 过渡金属吸附GaN纳米管的稳定性和电子性质
3.4.1 过渡金属吸附GaN纳米管的稳定性
3.4.2 过渡金属吸附GaN纳米管的电子性质
3.5 氢吸附碳掺杂GaN纳米管的稳定性和电子性质
3.5.1 氢吸附碳掺杂GaN纳米管的稳定性
3.5.2 氢吸附碳掺杂GaN纳米管的电子性质
3.6 小结
参考文献
第4章过渡金属掺杂GaN纳米管电子结构和磁学性质的研究
4.1 引言
4.1.1 自旋电子学
4.1.2 半金属材料与稀磁半导体
4.2 计算方法和模型
4.3 过渡金属掺杂GaN纳米管的几何结构和稳定性
4.4 过渡金属掺杂GaN纳米管的电子结构和磁学特性
4.5 小结
参考文献
第5章镍纳米线填充GaN纳米管的结构和电子性质
5.1 引言
5.2 计算方法和模型
5.2.1 计算方法
5.2.2 建立模型
5.3 镍纳米线填充GaN纳米管的稳定性和电子性质
5.3.1 镍纳米线填充GaN纳米管的稳定性
5.3.2 镍纳米线填充GaN纳米管的电子性质
5.4 小结
参考文献
第6章 GaN纳米带的结构和电子性质研究
6.1 引言
6.2 计算方法和模型
6.2.1 计算方法
6.2.2 建立模型
6.3 计算结果与讨论
6.3.1 GaN纳米带的电子性质
6.3.2 缺陷GaN纳米带的电子性质
6.3.3 碳掺杂GaN纳米带的电子性质
6.4 小结
参考文献
第7章总结论
附录作者在SCI源期刊上发表的有关论文目录

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